IPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1600pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IPD090N03LGATMA1手册
IPD090N03LGATMA1概述
产品概述：IPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1 是英飞凌（Infineon）出品的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），专门设计用于现代电子应用中的高功率和高效率转换。凭借其卓越的电气特性，该器件广泛适用于高频开关电源、电动汽车、节能灯、马达控制以及各种需要高电流和高压的功率管理应用。
主要参数概览
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：最大30V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C 时可达40A
- 导通电阻（Rds On）：在10V 驱动下，30A 时最大导通电阻为9毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为2.2V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大值为15nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：最大值为1600pF @ 15V
- 功率耗散：最大可承受42W（在Tc情况下）
- 工作温度范围：-55°C até 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：TO-252-3（DPak）
适用领域
开关电源（SMPS）： IPD090N03LGATMA1 以其低导通电阻和高效率性能，非常适合用于开关电源电路，能有效降低能量损失，提高系统的整体效率。
电动汽车： 该组件在电动汽车的动力系统中可用于控制电机及其驱动电路，能够承受高负载并保障设备的稳定运行。
电池管理系统（BMS）： 在电池管理系统中，该MOSFET可以用作开关元件来控制充放电行为，确保电池组的安全与高效运行。
工业应用： 在工业自动化和控制系统中，IPD090N03LGATMA1 可有效地用于马达控制、电源调度等场景。
性能优势
IPD090N03LGATMA1 的设计兼顾了高效能和高可靠性。其低导通电阻（Rds On）确保在高电流状态下能显著减少发热，增强设备的稳定性。此外，其宽广的工作温度范围使得该产品可以在极端环境下正常工作，符合多种应用需求。最大20V的栅极电压为设计师提供了更大的灵活性，适应不同电源设计的需求。
封装与安装
该器件采用了TO-252-3（DPak）封装，支持表面贴装，适合现代高密度PCB设计。这种封装不仅有助于实现较好的热管理性，还有利于自动化生产，提升生产效率。
总结
总之，IPD090N03LGATMA1 是一款适用于各类高性能电源管理和驱动应用的 N 通道 MOSFET。无论是在电源效率还是在系统安全性方面，该产品都能满足现代电子设备日益增长的要求，成为设计师不可或缺的优质选择。通过其优异的电气特性和广泛的适用场景，英飞凌的这款 MOSFET 将为电子产品的性能和可靠性提供强有力的支持。