MJD45H11-1G
MJD45H11-1G参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 功率 - 最大值 | 1.75W | 频率 - 跃迁 | 90MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 供应商器件封装 | I-PAK |
MJD45H11-1G手册
MJD45H11-1G概述
产品概述：MJD45H11-1G
一、引言
MJD45H11-1G 是一款高性能的 PNP 型晶体管，属于双极性晶体管（BJT）系列。它由 ON（安森美）公司制造，具有优异的电气性能和多样的应用场景。该器件的设计适用于高功率开关应用和线性放大，能够满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。
二、关键参数
- 类型: PNP 晶体管
- 最大集电极电流 (Ic): 8A
- 最大集射极击穿电压 (Vceo): 80V
- 最大饱和压降 (Vce(sat)): 1V @ 400mA，8A
- 最大集电极截止电流 (Ic(max)): 1µA
- 最小 DC 电流增益 (hFE): 40 @ 4A，1V
- 最大功率: 1.75W
- 频率响应: 90 MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-251（IPAK），适合通孔安装
三、应用领域
MJD45H11-1G 广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效率开关和稳定放大的场合。典型的应用包括：
开关电源: 由于其高达 80V 的击穿电压和 8A 的集电极电流能力，MJD45H11-1G 非常适合用于高效开关电源中的功率开关。
音频放大器: 具备良好的线性性能和高增益的特性使得该晶体管在音频信号放大中表现优异，可以有效地增强音频信号质量。
仪器和控制系统: 由于其宽广的工作温度范围，MJD45H11-1G 可以在多种恶劣环境下正常工作，适合用于各种工业控制和信号处理系统。
电机驱动: 可在直流电机驱动电路中使用，提供稳定的电流控制，确保电机的平稳运行。
四、性能优势
高功率处理能力: MJD45H11-1G 的最大功率为 1.75W，能够满足高功率电路的需求，适合用于高负载应用。
效率高: 在进行开关操作时，低饱和压降（最大值为1V）有助于降低功耗，提高整体电路效率。
良好的线性特性: 最小 DC 电流增益（hFE）达到 40 的规格支持良好的信号放大能力，确保在低输入信号下也能实现较高的输出。
稳定性和可靠性: MJD45H11-1G 的宽工作温度范围（-55°C 到 150°C）和极低的集电极截止电流（1µA）为设备的长期稳定运行提供了保障。
五、总结
MJD45H11-1G 是一款功能强大、性能优异的 PNP 型晶体管，广泛适用于高功率开关、音频放大及工业控制等多个领域。其高电流和电压规格、低功耗、宽温工作范围使得它成为了各类电路设计中不可或缺的核心元器件。无论是在家用电器、音频设备，还是在复杂的工业系统中，MJD45H11-1G 均能提供卓越的性能和可靠性。选择 MJD45H11-1G，您将拥有一个高效、可靠的电子元件解决方案。