MJD44H11-1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MJD44H11-1G

商品编码: BM0058410777
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DPAK-3
包装 : 
管装
重量 : 
0.81g
描述 : 
三极管(BJT) 1.75W 80V 8A NPN TO-251(IPAK)
库存 :
3(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
3.68
按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.68
--
100+
¥3.06
--
750+
¥2.84
--
1500+
¥2.7
--
3000+
¥2.58
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

MJD44H11-1G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)8A
电压 - 集射极击穿(最大值)80V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1V @ 400mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值)1µA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 4A,1V
功率 - 最大值1.75W频率 - 跃迁85MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装I-PAK

MJD44H11-1G手册

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MJD44H11-1G概述

MJD44H11-1G 产品概述

概述

MJD44H11-1G 是一款高性能的 NPN 晶体管,其设计用于高功率开关和放大电路。该产品由安森美(ON Semiconductor)制造,具备优越的电气特性,非常适合要求严苛的工业和消费电子应用。

基本参数

MJD44H11-1G 的主要技术参数如下:

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 8A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 80V
  • Vce 饱和压降: 在 400mA 和 8A 时最大值为 1V,表明其在承载高电流时依然能够保持低的饱和电压,确保高效率的功率转换。
  • 集电极截止电流 (Ic): 最大1µA,显示出其在关闭状态下的出色性能,减少了待机功耗。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 4A 时最低值为 40,意味着其在高电流条件下依然能够保持良好的增益特性。
  • 最大功率耗散: 1.75W,适合高功率应用。
  • 频率响应: 该晶体管具有高达 85MHz 的跃迁频率,适合高频操作。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,这使得 MJD44H11-1G 能够在极端温度环境下稳定工作,适合航空、军工及其他高温高压的应用场景。

封装和安装

MJD44H11-1G 采用通孔安装的 TO-251(I-PAK)封装。这种封装形式使得该晶体管易于焊接,适合不同的 PCB 设计需求。短引线设计能够有效降低寄生电感,进一步提升其高频性能。

应用领域

MJD44H11-1G 在众多应用中表现出色,具体包括但不限于以下领域:

  1. 开关电源: 由于其高集电极电流和低饱和压降,MJD44H11-1G 可用于开关电源中的主开关器件,提供高效能量转换。

  2. 马达驱动: 该晶体管能够驱动高达 8A 的负载,非常适合用于各种电机控制系统,如直流电机、步进电机和无刷直流电机。

  3. 音频放大器: 通过其良好的增益特性,MJD44H11-1G 可用于音频放大器电路,提供高保真的放大效果。

  4. 其他高功率应用: 适用于继电器驱动、灯光调节及高功率电路等需求通用的应用场景。

结论

总之,MJD44H11-1G 结合了优秀的电气特性和灵活的封装选择,使其成为高功率、低功耗和高频应用的理想选择。无论是在工业设备、汽车电子还是消费电子领域,这款晶体管都能提供可靠的性能和强大的工作能力,为设计师的创新提供支持。安森美在生产该产品时强调了质量保证和可靠性,因此用户可以对其稳定性和长寿命充满信心。