晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 8A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
功率 - 最大值 | 1.75W | 频率 - 跃迁 | 85MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 供应商器件封装 | I-PAK |
MJD44H11-1G 是一款高性能的 NPN 晶体管,其设计用于高功率开关和放大电路。该产品由安森美(ON Semiconductor)制造,具备优越的电气特性,非常适合要求严苛的工业和消费电子应用。
MJD44H11-1G 的主要技术参数如下:
MJD44H11-1G 采用通孔安装的 TO-251(I-PAK)封装。这种封装形式使得该晶体管易于焊接,适合不同的 PCB 设计需求。短引线设计能够有效降低寄生电感,进一步提升其高频性能。
MJD44H11-1G 在众多应用中表现出色,具体包括但不限于以下领域:
开关电源: 由于其高集电极电流和低饱和压降,MJD44H11-1G 可用于开关电源中的主开关器件,提供高效能量转换。
马达驱动: 该晶体管能够驱动高达 8A 的负载,非常适合用于各种电机控制系统,如直流电机、步进电机和无刷直流电机。
音频放大器: 通过其良好的增益特性,MJD44H11-1G 可用于音频放大器电路,提供高保真的放大效果。
其他高功率应用: 适用于继电器驱动、灯光调节及高功率电路等需求通用的应用场景。
总之,MJD44H11-1G 结合了优秀的电气特性和灵活的封装选择,使其成为高功率、低功耗和高频应用的理想选择。无论是在工业设备、汽车电子还是消费电子领域,这款晶体管都能提供可靠的性能和强大的工作能力,为设计师的创新提供支持。安森美在生产该产品时强调了质量保证和可靠性,因此用户可以对其稳定性和长寿命充满信心。