注：图像仅供参考，请参阅产品规格
MBRD835LT4G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.438g
描述 :
肖特基二极管 510mV@8A 35V 1.4mA@35V 8A TO-252-2(DPAK)
库存 :
4603(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
2.69按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.69
--
100+
￥2.07
--
1250+
￥1.8
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
MBRD835LT4G参数
| 二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 8A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 510mV @ 8A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1.4mA @ 35V |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
MBRD835LT4G手册
无数据
MBRD835LT4G概述
MBRD835LT4G 产品概述
产品名称: MBRD835LT4G
制造商: ON Semiconductor (安森美)
封装类型: DPAK (TO-252-2)
一、基本参数
MBRD835LT4G 是一种肖特基二极管，专为高效整流和快速开关应用设计，以满足现代电源管理和高频开关电源的需求。其关键规格包括：
- 最大反向电压 (Vr): 35V
- 平均整流电流 (Io): 8A
- 正向电压降 (Vf): 510mV @ 8A
- 反向漏电流 (Ir): 1.4mA @ 35V
- 恢复时间: 快速恢复 ≤ 500ns，这使得它在高频切换条件下表现优异
- 工作温度范围: -65°C 至 150°C
二、产品特点
高效能: MBRD835LT4G 的正向压降仅为510mV @ 8A，这使其在大电流条件下依然能够维持较低的能量损耗，从而提高整体能效，适用于需要高效率的开关电源设计。
广泛的电流和电压范围: 该二极管的 35V 最大反向电压和 8A 的平均整流电流适用于多种中等功率应用，包括 AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器。
快速恢复特性: 快速恢复时间 ≤ 500ns 使得该二极管在高频开关应用中表现优秀，可以减少开关损耗并改善系统整体的性能。
低反向泄漏电流: 在 35V 时反向泄漏电流仅为1.4mA，这对于提升设备的可靠性和稳定性至关重要，尤其是在高温应用环境中。
耐高温性能: MBRD835LT4G的工作温度范围从-65°C至150°C，表明其非常适合于恶劣环境条件下工作，并能在高温条件下保持高可靠性。
三、应用场合
MBRD835LT4G 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源供应: 在AC/DC转换器和DC/DC转换器的设计中，用于整流和反向电压保护，确保设备的稳定性和安全性。
- 数据中心: 由于其高效率和低热量发散特性，可用于数据中心的电源模块，帮助减少电力损失并提高系统能效。
- 电动工具: 在电动工具和其他便携式电源设备中，MBRD835LT4G 可用于实现高效的功率转换和电流整流。
- 电动车及可再生能源: 在电动车充电装置和可再生能源系统中，用于大功率整流，增强系统的整体性能。
四、总结
MBRD835LT4G 是一款优秀的肖特基二极管，凭借其低正向压降、高额定电流、高反向电压和快速恢复特性，广泛适用于现代电子设备和电源管理中。无论是在高频开关电源、整流模块还是在汽车电子及工业设备中，MBRD835LT4G 都能提供出色的可靠性和效率，帮助工程师在设计中实现更高的性能。
在选择合适的二极管元件时，MBRD835LT4G 提供的性能参数使其成为理想的解决方案，能够满足对高效和高稳定性需求的各类应用场景。