SBC847BPDXV6T1G

产品概述：SBC847BPDXV6T1G

一、产品简介

SBC847BPDXV6T1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高性能 NPN 和 PNP 型双极性晶体管（BJT）。其设计旨在满足多种广泛的应用需求，特别适用于低功耗电源和信号放大电路。该器件以其可靠的电气性能和优良的热稳定性，使其在消费电子、工业控制、通信设备等领域得到广泛应用。

二、技术规格

1. 晶体管类型：NPN, PNP
2. 最大集电极电流（Ic）：100mA
3. 集射极最大击穿电压（Vce）：45V
4. 饱和电压（Vce(sat)）：在不同的 Ic 和 Ib 条件下，Vce 饱和压降最大为 600mV（5mA, 100mA），650mV（5mA, 100mA）
5. 集电极截止电流（ICBO）：最大值 15nA
6. 直流电流增益（hFE）：在 2mA 和 5V 时，最小值 200
7. 最大功率：357mW
8. 频率 -跃迁：100MHz
9. 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ）
10. 安装类型：表面贴装型（SMD）
11. 封装类型：SOT-563（也可以在 SOT-666 中找到）

三、性能特点

SBC847BPDXV6T1G 采用先进的半导体工艺，具有以下性能特点：

1. 高频特性：该晶体管的频率跃迁达到 100MHz，适合高频信号处理和开关应用。
2. 高电流增益：其直流电流增益达到 200，表现出卓越的放大能力，适合用于信号放大和开关电路中。
3. 低饱和电压：在相对高集电极电流下保持低饱和电压，能显著提升开关效率及功率损耗，从而提高整体电路性能。
4. 宽工作温度范围：能够在恶劣环境下稳定工作，从-55°C到150°C的广泛温度范围，使得该器件非常适合于航空航天、工业设备及汽车应用。
5. 小型化封装：采用 SOT-563 封装，使得产品在电路设计中能有效节省空间，适合对体积要求严格的产品设计。

四、应用领域

SBC847BPDXV6T1G 的应用覆盖了多个领域，包括但不限于：

1. 消费电子：如音频放大器、LED 驱动器、开关电源等。
2. 工业控制：用于控制电机驱动、信号处理、传感器接口等。
3. 通信设备：包括无线收发器、调制解调器等设备中信号的放大和开关。
4. 汽车电子：在各种汽车电子设备中，如电动窗控制、照明系统、传动系统等。

五、总结

SBC847BPDXV6T1G 作为一款高性能的 NPN 和 PNP 双极性晶体管，凭借其卓越的电气特性与广泛的应用性，已成为许多设计工程师和开发者的首选。产品的高频率特性、出色的电流增益、低饱和电压以及宽工作温度范围，使得该器件对于现代电子系统的高效运作提供了强有力的支持。无论是在消费类产品、工业设备还是汽车电子领域，SBC847BPDXV6T1G 都展现出优异的性能与稳定性，是确保产品质量与可靠性的理想选择。