晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 250 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
SBC817-40LT1G是一款由ON Semiconductor(安森美)制造的高性能NPN型三极管,适用于各种电子电路中的开关和放大应用。这款晶体管采用SOT-23-3封装,具有优良的电气特性和使用灵活性,尤其适合于表面贴装的电路设计。
SBC817-40LT1G的主要参数包括:
SBC817-40LT1G具备广泛的应用潜力,尤其适用于需要高频率和高功率处理的场合。它可以在多个领域中发挥作用,包括:
SBC817-40LT1G的设计理念强调高效率和稳定性。这款三极管的高电流增益意味着在较小的基极电流(Ib)下,可以实现相对较大的集电极电流(Ic),从而增强了电源效率,减少了热量产生,提升了电路的整体稳态性能。其工作温度范围的广泛性确保了在极端环境下仍能稳定运行,适合广泛的工业和消费应用场景。
该三极管的频率跃迁高达100MHz,使其在高频应用中表现出色,比如RF电路和开关电源,同时其在直流(DC)条件下的增益良好,旨在提供稳定的信号放大能力。这种抗扰性和高增益特性使得SBC817-40LT1G成为需要高效信号处理方案的理想选择。
SBC817-40LT1G采用SOT-23-3封装,小型且重量轻,非常适合现代小型化电子产品设计。表面贴装技术(SMD)不仅简化了自动化生产过程,也有助于提高电子元件的密度,优化电路板的空间利用。
综上所述,SBC817-40LT1G是一款性能优越且应用广泛的NPN型三极管,满足现代电子设计对高效、高频和高功率触发器件的要求。无论在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,它都能为设计人员提供可靠的解决方案,其出色的电气特性和灵活的封装选项使其在电子元器件市场中占据了重要的地位。选择SBC817-40LT1G,您将获得集性能与稳定性于一体的高品质产品,助力您的项目成功。