驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 12.5V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1.1V,1.9V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,430mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 75ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 16-SO |
L6390DTR 是一款高性能的栅极驱动集成电路 (IC),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该器件在推动高压和高功率开关器件(如IGBT和N沟道MOSFET)时表现出色,是各种电源转换、逆变器及电机控制应用中的理想选择。L6390DTR 在确保高可靠性的前提下,具备极为灵活的电压适应范围,能够在恶劣环境下工作,满足现代电力电子系统对效率和热管理的高要求。
驱动配置:L6390DTR 采用半桥驱动配置,允许在一个封装内独立驱动两个栅极。这样的设计使其可以简化电路布局,提高系统集成度。
高压兼容性:该器件的高压侧电压最大可达600V,适合用于高电压的逆变和变频应用,可靠性高,有效降低了系统设计的复杂性。
宽输入电压范围:供电电压范围为12.5V至20V,逻辑电压范围分别为VIL=1.1V和VIH=1.9V,确保在广泛的逻辑电平下都能正常工作,适应不同的逻辑电路和控制信号。
输出特性:L6390DTR 鼓励快速捕获和释放信号,具有290mA的灌入电流和430mA的拉出电流输出能力,确保高频开关应用时的快速响应,最大限度缩短开关损耗。
优秀的开关性能:该IC的上升时间为75ns,下降时间为35ns,展示了其出色的动态特性,能够在高速开关中保持高效,降低电流过渡过程中引起的电磁干扰(EMI)。
宽工作温度范围:能够在-40°C至150°C的工作温度下稳定运行,满足高温环境下的长期工作需求,适合各种工业应用。
表面贴装封装:采用SO-16(16引脚)封装,占用空间小,使其易于在现代PCB设计中实现高密度布局,便于自动化生产。
L6390DTR的广泛应用场景包括但不限于:
变频驱动:在电动机应用中,L6390DTR可有效控制频率和电机速度,提高能源利用效率。
功率转换器:在DC-DC变换器和AC-DC电源模块中,该IC可驱动功率开关,提高转换效率和系统稳定性。
电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):在这些高压系统中,L6390DTR 可以有效控制电动机的驱动,提升整车性能。
工业自动化:在工业机器人和生产线设备中,L6390DTR 的高效驱动性能能够提高系统的动态响应能力,改善生产效率。
L6390DTR 是一款功能强大、性能卓越的栅极驱动IC。其独特的设计和高度集成的特性使得它在电力电子应用中大放异彩。无论是在电动汽车行业,还是在工业自动化和电源管理系统中,L6390DTR 都是实现高效能和高可靠性的理想选择。通过合理地利用该IC,可以有效提升系统整体的效率与稳定性,推动各类新兴技术的发展。