晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 250V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 800mV @ 5mA,30mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 25mA,20V |
功率 - 最大值 | 250mW | 频率 - 跃迁 | 60MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
BF823,215 是一款由知名半导体制造商 Nexperia(安世)提供的 PNP 型三极管(BJT),其专为高效能和高可靠性应用而设计。该器件采用 TO-236-3(也称为 SOT-23-3)封装,适合表面贴装技术,广泛应用于低功耗放大、开关电路、驱动电路等领域。其关键电气特性包括最大集电极电流(IC)为50mA,集射极击穿电压(VCE)最高可达250V,具有良好的频率响应性能(跃迁频率高达60MHz)。
高电压耐受性:BF823,215 具备高达250V的集射极击穿电压,能够有效应对高电压应用场景,确保在工作环境中的安全性和可靠性。
低饱和压降:在典型应用中,BF823,215 可实现低至800mV的饱和压降,这使得其在开关应用中能够显著提高效率,降低能量损耗。
优良的频率特性:其60MHz的跃迁频率使得BF823,215能够在高频信号处理及开关应用中表现出色,适合用于信号放大和信号调制等场景。
宽工作温度范围:BF823,215的工作温度上限达到150°C,非常适合在恶劣环境下的应用需求,例如汽车电子、工业控制等领域。
小型封装:其SOT-23-3封装设计使得BF823,215适合小型化电子产品,节省板面空间,提供更多的设计灵活性。
BF823,215的设计特性使其适用于多种应用,包括但不限于:
总的来说,BF823,215 是一款性能优越且适用范围广泛的 PNP 三极管,凭借其卓越的电气特性和可靠的耐压性能,在众多电子设计中提供了解决方案。无论是用于高频信号处理还是低功耗开关应用,BF823,215均展现了其独特的价值和表现。通过合理的配置和设计,该元器件能够有效提升整个电路的性能。