晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,1V |
功率 - 最大值 | 5W | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
BDP947H6327XTSA1 是一款高性能 NPN 型晶体管,主要应用于汽车电子和其他要求苛刻的环境中。由英飞凌(Infineon)公司生产,该器件符合汽车电子组件的 AEC-Q101 标准,确保其在汽车应用中的可靠性和耐用性。
BDP947H6327XTSA1 的主要参数具有高性能特征,对于各种电源管理和信号放大应用极为适合。其集电极电流(Ic)最大为 3A,使其能够处理高电流负载,同时集射极击穿电压(Vce)最大值可达 45V,提供足够的电压容忍度以适应多种工作环境。
该器件在饱和条件下的电压降(Vce 饱和压降)最大为 500mV,在 200mA 和 2A 时的性能表现良好,确保了较低的功耗,并提高了整体效率。此外,其集电极截止电流(ICBO)仅为 100nA,表明在关闭状态下,该晶体管的漏电流极低,有助于降低待机功耗。
BDP947H6327XTSA1 具有出色的 DC 电流增益(hFE),在 500mA 和 1V 时的最低增益值为 100。这种增益特性使得其在信号放大应用中表现优异,能够有效地控制集电极电流。该晶体管的最大功率为 5W,适合多种功率转换和驱动电路应用。
该器件的频率跃迁性能达到了 100MHz,适合高频应用,尤其是在开关电源和高频放大电路中表现突出。其工作温度范围最高可达 150°C(TJ),确保在高温环境下的稳定性和可靠性,非常适合汽车和工业应用。
BDP947H6327XTSA1 采用 SOT-223 封装形式,具有出色的热性能和空间利用率,非常适合表面贴装(SMD)技术,这让在紧凑的电路板设计中也能轻松安装。此外,该器件的封装类型为 4 引脚(3+Tab),便于散热和电气连接,提高了整体设计灵活性。
BDP947H6327XTSA1 适用于多种应用领域,包括但不限于:
综上所述,BDP947H6327XTSA1 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,具备高电流处理能力,低饱和电压,出色的增益特性以及高工作温度范围等优点。它的高频性能和小型封装设计使得该器件在各种现代电子应用中都能充分展现其价值,尤其是在对可靠性和效率有着高要求的汽车和工业领域中,BDP947H6327XTSA1 无疑是一个理想的选择。选择英飞凌的 BDP947H6327XTSA1,让您的设计更具竞争力,实现高效电源管理与精确控制。