注：图像仅供参考，请参阅产品规格
RQ5C035BCTCL
品牌 :
ROHM(罗姆)
封装 :
TSMT3
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W 20V 3.5A 1个P沟道 SC-96
库存 :
2006(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.772按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.772
--
200+
￥0.532
--
1500+
￥0.484
--
3000+
￥0.452
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
RQ5C035BCTCL参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 460pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 封装/外壳 | SC-96 |
RQ5C035BCTCL手册
无数据
RQ5C035BCTCL概述
产品概述：RQ5C035BCTCL P沟道MOSFET
一、概述
RQ5C035BCTCL是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元件制造商ROHM（罗姆）生产。该器件具备20V的漏源电压（Vdss）和3.5A的持续漏极电流（Id），是设计和开发中对功率控制和电源管理有较高要求的多种应用的理想选择。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 持续漏极电流（Id）：25°C时可达3.5A
- 导通电阻（Rds On）：在4.5V的驱动电压下，最大值为59毫欧（在3.5A电流下）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：在1mA时最大值为1.2V
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V时最大值为6.5nC
- 输入电容（Ciss）：在10V时最大值为460pF
- 功率耗散（Pd）：最大功率为1W（在散热器温度Tc条件下）
- 工作温度范围：最高可达150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型，便于自动化焊接
- 封装形式：SC-96，TSMT3
三、应用领域
RQ5C035BCTCL MOSFET广泛应用于多个领域，尤其是对开关性能、效率和热管理有严格要求的场合，包括：
- 电源管理：适用于DC-DC变换器、开关电源等产品，提供高效的功率转换和良好的电源稳定性。
- 电机驱动：可用于直流电机和步进电机的驱动电路，通过MOSFET的高开关速度和低导通损耗，提升系统效率。
- 负载开关：在各种电器设备中，RQ5C035BCTCL可作为高效的负载开关，提供可靠的电源控制。
- LED驱动电路：在LED照明和显示设备中，帮助实现高效的电流驱动和亮度调节。
四、优点
- 低导通电阻：RQ5C035BCTCL具有相对较低的Rds On，使其在较大的电流下运行时能有效减少能量损耗，提升电源效率。
- 高开关速度：优良的栅极电荷特性使得RQ5C035BCTCL能够实现快速切换，减少开关损耗，提高系统响应速度。
- 温度响应稳定：高达150°C的工作温度极限使此器件能够适应各种严苛环境，保证长时间稳定运行。
- 紧凑封装：TSMT3封装设计使其适用于空间有限的应用，为电路设计提供更多灵活性。
五、总结
RQ5C035BCTCL作为一款P沟道MOSFET，凭借其较低的导通电阻、高开关能力以及宽广的工作温度范围，为多种电气应用提供了出色的性能。无论在电源管理、电机控制还是LED驱动等领域，都能够展现出其良好的应用价值。ROHM在产品设计中注重品质和可靠性，RQ5C035BCTCL无疑是电子工程师在寻找高效且可靠元件时的重要选择。