FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.9 毫欧 @ 110A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 140nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 11490pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 370W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB |
产品概述:IRLS4030TRL7PP N通道MOSFET
引言 IRLS4030TRL7PP是一款高性能的N沟道MOSFET,属于英飞凌(Infineon)旗下的高功率元器件系列。该产品采用现代化的制造工艺,具备卓越的导通性能、极低的导通电阻和宽广的工作温度范围,特别适合在高电压、高电流的应用环境中使用。本文将对其规格、特点以及应用进行详细分析。
产品规格 IRLS4030TRL7PP的主要参数如下:
电性能与特性 IRLS4030TRL7PP具备极低的导通电阻,使得其在高电流条件下仍能保持高效率,显著降低开关损耗和静态损耗。这对于要求高效率和高功率的应用至关重要。此外,该产品的低阈值电压意味着它在低电压时即可启用,提高了系统的整体性能并降低了功耗。
应用场景 IRLS4030TRL7PP广泛应用于以下领域:
总结 IRLS4030TRL7PP是一款极具竞争力的高电压、高电流N沟道MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为现代电力电子行业中的重要组件。无论是在传统电源转换器,还是在智能电动汽车、太阳能系统等新兴领域,IRLS4030TRL7PP都展现出优越的性能和可靠性,是设计工程师和电子产品制造商的首选产品之一。英飞凌对该产品的全面支持和广泛的市场应用前景,使其在瞬息万变的电子元器件市场中占据了一席之地。