FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Ta),56A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 31 毫欧 @ 34A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 50nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2300pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 3.6W(Ta),156W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
IRFH5015TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能N通道MOSFET。这款MOSFET广泛应用于电源转换、开关电源、马达驱动及各种高频和高电流应用中,因其优异的电气特性而受到设计工程师的青睐。IRFH5015TRPBF不仅能够在高效和高负载的环境下工作,而且在散热方面的表现也相当出色,适合各种严苛的应用场景。
漏源电压(Vdss): 最高可达150V,适用于高电压应用,能够满足多种工业和消费电子设备的需求。
电流规格:
控制与驱动特性:
散热性能:
工作温度范围: 它能够在-55°C至150°C的环境中稳定工作,能够解决在极端环境下的应用要求。
封装类型: IRFH5015TRPBF采用PQFN-8(5x6)的表面贴装封装,这种设计增强了散热能力,并减少了外部电路的布线复杂度,使得集成在紧凑空间内成为可能。
由于其卓越的特性,IRFH5015TRPBF被广泛应用于各种场景,包括但不限于:
作为一款高品质的N通道MOSFET,IRFH5015TRPBF具备优秀的电气特性与机械性能,能够考量到不同应用环境下的需求,特别适合高电流和高效率的场合。凭借它的优异性能,IRFH5015TRPBF将能够在各类电子产品中实现高效、稳定的运行,为最终产品的性能提供有力保障。