IRFH5015TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFH5015TRPBF

商品编码: BM0058404708
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PQFN-8(5x6)
包装 : 
编带
重量 : 
0.144g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.6W;156W 150V 10A;56A 1个N沟道 PQFN-8(5x6)
库存 :
3307(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
5.14
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.14
--
100+
¥4.28
--
1000+
¥3.97
--
2000+
¥3.79
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFH5015TRPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)150V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta),56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)31 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 150µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)50nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2300pF @ 50V
功率耗散(最大值)3.6W(Ta),156W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-PQFN(5x6)
封装/外壳8-PowerTDFN

IRFH5015TRPBF手册

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IRFH5015TRPBF概述

IRFH5015TRPBF 产品概述

概述

IRFH5015TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能N通道MOSFET。这款MOSFET广泛应用于电源转换、开关电源、马达驱动及各种高频和高电流应用中,因其优异的电气特性而受到设计工程师的青睐。IRFH5015TRPBF不仅能够在高效和高负载的环境下工作,而且在散热方面的表现也相当出色,适合各种严苛的应用场景。

主要特性

  1. 漏源电压(Vdss): 最高可达150V,适用于高电压应用,能够满足多种工业和消费电子设备的需求。

  2. 电流规格:

    • 25°C环境温度下,具有10A的连续漏极电流(Id),在较高的环境温度(比如在散热条件良好的情况下)下,其额定电流可达到56A(Tc条件下)。
  3. 控制与驱动特性:

    • 在10V的驱动电压下,最大体内电阻(Rds On)为31毫欧(@ 34A),具有极低的导通损耗,提供更高的系统效率。
    • Vgs阈值电压(Vgs(th))最大为5V(@ 150µA),为设备的稳定操作提供了一个合适的开关作用。
    • 栅极电荷(Qg)最大值为50nC(@ 10V),使得其在高频开关应用中表现优秀。
  4. 散热性能:

    • 功率耗散方面,IRFH5015TRPBF最大可支持3.6W(Ta)和156W(Tc),意味着在适当散热条件下可以承担相对高的功率负载,确保设备的可靠性。
  5. 工作温度范围: 它能够在-55°C至150°C的环境中稳定工作,能够解决在极端环境下的应用要求。

  6. 封装类型: IRFH5015TRPBF采用PQFN-8(5x6)的表面贴装封装,这种设计增强了散热能力,并减少了外部电路的布线复杂度,使得集成在紧凑空间内成为可能。

应用场景

由于其卓越的特性,IRFH5015TRPBF被广泛应用于各种场景,包括但不限于:

  • DC-DC转换器: 其高效能的Rds On特性使其非常适合用于开关电源设计中,显著降低能量损耗并提升整体系统效率。
  • 马达驱动: 适用于电动机控制、如电动车辆和工业驱动应用,因为其高负载能力和温度韧性确保了在严酷操作条件下的稳定性。
  • 电源管理设备: IRFH5015TRPBF的高电流能力和低导通电阻使它成为电源管理系统中的理想选择,有助于实现紧凑型设计和提升电源性能。
  • 通信设备: 在无线通信设备和数据中心电源管理中,能效和可靠性都显得十分重要,IRFH5015TRPBF优良的性能使其成为理想选择。

总结

作为一款高品质的N通道MOSFET,IRFH5015TRPBF具备优秀的电气特性与机械性能,能够考量到不同应用环境下的需求,特别适合高电流和高效率的场合。凭借它的优异性能,IRFH5015TRPBF将能够在各类电子产品中实现高效、稳定的运行,为最终产品的性能提供有力保障。