IRFH5010TRPBF
IRFH5010TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4340pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），250W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
IRFH5010TRPBF手册
IRFH5010TRPBF概述
产品概述：IRFH5010TRPBF
基本信息
IRFH5010TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，采用现代的金属氧化物半导体技术（MOSFET），其设计目的是适应高效能电源管理和电流驱动应用。该器件适用于要求严格的电气参数和高工作温度范围的场合。IRFH5010TRPBF的额定漏源电压为100V、连续漏极电流为13A（在环境温度下）和高达100A（在结温下），展现出其在高电流应用中的卓越性能。它的最大功率耗散达到了3.6W（在环境温度下）和毫高至250W（在结温下），确保在高负载条件下的可靠运行。
电气特性
IRFH5010TRPBF的关键电气参数使其非常适合于电源转换、电机驱动和其他高频开关电源应用。在最大导通电阻和驱动电压为10V的条件下，IRFH5010TRPBF显示出最大导通电阻为9毫欧（@50A），这使得该MOSFET在激烈的负载条件下仍能维持较低的热损耗和高效率。Vgs(th) 的最大值为4V（@150µA），表明了开启该MOSFET所需的栅极电压相对较低，从而有利于简化驱动电路设计及实现更快速的开关转换。
电容特性
在输入电容（Ciss）的参数方面，IRFH5010TRPBF在25V时的最大输入电容为4340pF，这个参数对于高频应用来说是非常重要的，因为它影响了开关速度和整体的系统性能。加之，栅极电荷（Qg）为98nC（@10V），使得该元件在啟动和关闭过程中的响应速度较快，从而提升了系统的工作频率及效率。
热性能与环境适应性
IRFH5010TRPBF的工作温度范围非常广泛，从-55°C到150°C，适合在极端温度条件下的应用。这种特性使得它能够在挑战性的环境中，如汽车、电力、工业控制和消费电子中持续工作而不会导致功能失效。而其最大功率耗散（在结温下）能够达到250W，确保了该器件在高温、高负载情况下的稳定性。
封装与安装
该器件采用了8-PQFN（5x6 mm）封装形式，具有优秀的散热能力和布局灵活性，适合现代表面贴装技术（SMT），使其能够在高度紧凑的电路板上有效应用。PQFN封装的设计使得该MOSFET具备较低的导通电阻和出色的热管理能力，非常适合用于电源模块、DC-DC转换器、逆变器等场合。
应用场景
IRFH5010TRPBF由于其卓越的电气性能和广泛的温度适应性，适合于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：用于DC-DC转换器或AC-DC适配器中。
- 电机驱动：用于电动机的驱动和控制，以实现高效的电机运行。
- 汽车电子：可用于电动汽车的电源管理系统和电池管理系统，以确保高效能和稳定性。
- 消费电子：在各种家电和电子设备中，实现高效能的电源控制和管理。
结论
IRFH5010TRPBF作为英飞凌（Infineon）品牌下的专业MOSFET，在高压及高电流应用中展现了优异的性能，完美满足现代电子设备对效率、稳定性及空间节约的需求。凭借其出色的热性能和适应性，该器件是设计工程师在开发高效能、稳定的电源管理解决方案时的理想选择。