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IRF830STRLPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 74W 500V 4.5A 1个N沟道 D2PAK(TO-263)
库存 :
1598(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
6.1按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.1
--
100+
￥4.88
--
800+
￥4.52
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF830STRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 610pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 74W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF830STRLPBF手册
无数据
IRF830STRLPBF概述
IRF830STRLPBF 产品概述
产品简介
IRF830STRLPBF 是由威世（Vishay）生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），具有优越的电气特性和高效的热管理能力。本产品在工业领域及各种电子应用中具有广泛的适用性，尤其适合于高压、高电流的开关和放大电路。
关键特性
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 具有高达 500V 的漏源电压，能够承受严苛的工作环境，为高电压应用提供了可靠的支持。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的情况下，IRF830STRLPBF 能够输出连续漏极电流 4.5A，满足一般工艺要求，同时在高功率密度应用中也表现出色。
- 导通电阻（Rds On）: 在 10V 的驱动电压下，最大导通电阻仅为 1.5Ω，确保高效的功率传输和极低的功耗，降低了热量的产生。
- 栅极电压（Vgs）: 该器件的最大栅极电压为 ±20V，提供灵活的驱动条件，以适应不同的应用需求。
- 输入电容（Ciss）: 在 25V 的条件下，输入电容最大为 610pF，意味着其在切换频率较高时具备良好的响应特性，适合快速开关应用。
- 工作温度范围: IRF830STRLPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在极端环境条件下的稳定性和可靠性。
应用领域
IRF830STRLPBF 被广泛应用于多个行业和场合，包括：
- 电源转换: 在开关电源（SMPS）中充当高效率的开关器件，减少能量损耗，提高整体系统效能。
- 电机控制: 适用于电机驱动电路，特别在需要高电压和高电流的场合。
- 电器开关: 可用于各种控制开关，实现高效的开/关操作。
- 汽车电子: 在汽车电源管理和主动安全系统中，提供可靠的性能。
设计与封装
IRF830STRLPBF 采用 D2PAK 封装（TO-263），这种表面贴装型封装设计不仅节省空间，还具有出色的热管理能力。其强大的散热性能能够确保器件在高功率下运行时的可靠性，降低故障风险。此外，D2PAK 封装易于自动化生产，适合大规模应用。
电气特性
- 正常工作条件下的损耗: 功率耗散最大可达到 74W，提供了足够的功率处理能力以应对高负载条件。
- 栅极电荷: 在 10V 驱动条件下，最大栅极电荷为 38nC，确保器件快速切换，同时降低了驱动电路的功耗。
结论
综合上述特点，IRF830STRLPBF 是一款高可靠性、高效率的 N 沟道 MOSFET，适合于各种高压、高电流和高速切换的应用。其优异的电气性能、宽广的工作温度范围以及强大的负载能力，使其成为电子设计工程师在选择场效应管时的理想选择。无论是在电源管理、电机控制还是汽车电子应用上，IRF830STRLPBF 均能发挥出色的性能，满足现代电子设备对能效和可靠性的严格要求。