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IRF7855TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.118g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 12A 1个N沟道 SOP-8
库存 :
50(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
4.71按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.71
--
100+
￥3.36
--
1000+
￥3.328
--
4000+
￥3.3
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7855TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.4 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1560pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7855TRPBF手册
无数据
IRF7855TRPBF概述
IRF7855TRPBF 产品概述
概要
IRF7855TRPBF 是由英飞凌（Infineon）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，适用于各种高电压和高电流应用。以下是对此产品的详细介绍。
基础参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 25°C 时连续漏极电流（Id）: 12A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
- 导通电阻（最大值）: 9.4 毫欧 @ 12A，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）: 4.9V @ 100µA
- 栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V
- 栅极源极电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 1560pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装和封装
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: 8-SO
- 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
应用场景
IRF7855TRPBF 因其高性能和可靠性，广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 高效的开关模式电源（SMPS），包括直流-直流转换器、逆变器和整流器。
- 驱动电机: 适用于各种电机驱动应用，例如工业自动化、机器人技术和汽车电子。
- 高频开关: 由于其低导通电阻和快速开关时间，非常适合高频开关应用。
- 负载开关: 可以用作高电流负载开关，例如在照明系统、加热器和其他高功率设备中。
特点
- 高电流能力: 支持高达 12A 的连续漏极电流，使其适合高功率应用。
- 低导通电阻: 最大导通电阻为 9.4 毫欧 @ 12A，10V，减少能量损耗并提高效率。
- 低栅极电荷: 栅极电荷仅为 39nC @ 10V，促进快速开关和低能耗。
- 宽工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围，使其在各种环境条件下都能可靠运行。
- 小型化封装: 采用 8-SOIC 封装，尺寸为 0.154" x 3.90mm，适合空间有限的设计。
设计考虑
在设计中使用 IRF7855TRPBF 时，需要注意以下几点：
- 热管理: 由于最大功率耗散为 2.5W，确保良好的散热设计以避免过热。
- 栅极驱动: 由于阈值电压为 4.9V @ 100µA，需要选择合适的栅极驱动电路以确保可靠的开关性能。
- 电容匹配: 输入电容（Ciss）为 1560pF @ 25V，需要考虑在 PCB 设计中匹配适当的电容值以优化性能。
总结
IRF7855TRPBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET，具有出色的电流承载能力、低导通电阻和快速开关特性。其广泛应用于电源管理、电机驱动、 高频开关和负载开关等领域。通过了解其详细参数和特点，可以更好地利用此器件进行设计，实现高效、可靠的电子系统。