IPN80R600P7ATMA1
IPN80R600P7ATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 170µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 570pF @ 500V |
| 功率耗散（最大值） | 7.4W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223 |
| 封装/外壳 | TO-261-3 |
IPN80R600P7ATMA1手册
IPN80R600P7ATMA1概述
产品概述：IPN80R600P7ATMA1
概述
IPN80R600P7ATMA1 是英飞凌 (Infineon) 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，其主要特点包括高压、高电流承载能力以及出色的开关特性。这款器件采用 PG-SOT223-3 封装，适合在各种高温和苛刻环境下的电源管理、逆变器和其他高效电力转换应用中使用。
产品规格
- 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 800V
- 最大连续漏极电流 (Id): 8A @ 25°C (Tc)
- 导通电阻 (Rds On): 最大 600 毫欧 @ 3.4A，10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 3.5V @ 170µA
- 驱动电压 (Vgs): 最大 ±20V
- 栅极电荷 (Qg): 最大 20nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大 570pF @ 500V
- 功率耗散 (Pd): 最大 7.4W (Tc)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装: TO-261-3 (PG-SOT223-3)
应用场景
IPN80R600P7ATMA1 MOSFET 由于其高压、高电流及高温性能，适用于多种应用领域，包括但不限于：
电源管理: 该器件可用于高效电源转换器、开关电源 (SMPS) 和直流-直流转换器中，有助于提高电源效率并减小整体体积。
逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车电力驱动系统中使用，能够提供高可靠性的开关控制，确保系统的稳定性和效率。
工业应用: 适用于工业驱动、马达控制和自动化系统，实现高效的功率控制和能量转换。
家用电器: 在高效的家电，如洗衣机、空调及电热水器中，对电流和电压的高承载能力能够保障设备的安全性和性能。
特性分析
高压性能: 此 MOSFET 的 Vdss 高达 800V，使其在高压应用中展现出极强的可靠性。与其他低压 MOSFET 相比，可以在更高的电压系统中使用，极大地扩展了其应用范围。
导通电阻与效率: 最多 600 毫欧的 Rds On 呈现出优越的导通效率，这对于降低能量损耗至关重要，特别是在高频和高效能转换场合中，有助于提升系统的整体效率。
温度稳定性: 工程上的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，确保了该器件在极端环境下的长期稳定性，使其可用于多种环境。
封装设计: PG-SOT223 封装适合表面贴装，提供了良好的散热性能和高密度电路布局的可能，符合现代电子设备对小型化和高性能的要求。
优势总结
IPN80R600P7ATMA1 是一款集成了高压、高电流及优异功率效率的 N 通道 MOSFET，其设计兼顾了性能与可靠性，极其适合于现代高效电源和功率设备的需求。无论在工业、家电还是可再生能源领域，该器件均能提供卓越的功率控制性能，是实现高效电力转换的理想选择。