BAT54SWT1G

产品概述：BAT54SWT1G 戴尔 (ON Semiconductor) 肖特基二极管

1. 基本信息

BAT54SWT1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的肖特基二极管，其具有高效的性能和可靠的稳定性，特别适合在高频、低功耗电路中应用。该二极管采用 SOT-323 封装，能够在表面贴装 (SMD) 应用中提供极佳的布局灵活性。

2. 关键规格

• 二极管类型：肖特基二极管
• 配置：1 对串联
• 平均整流电流 (Io)：200 mA（每二极管）
• 正向电压 (Vf)：800 mV @ 100 mA
• 最大反向电压 (Vr)：30 V
• 反向泄漏电流：2 µA @ 25 V
• 反向恢复时间 (trr)：5 ns
• 工作温度范围：-55°C ~ 125°C
• 封装类型：SOT-323

3. 应用场景

BAT54SWT1G 肖特基二极管特别适合用于多种低功耗和高频率的电子应用，包括但不限于：

• 电源整流：能够在 DC-DC 转换器中高效整流，有效降低功耗，从而提高系统整体效率；
• 信号检测：其快速恢复时间使其非常适合用于高频信号检测应用；
• 反向保护电路：在电源输入端，BAT54SWT1G 可以防止电流反向流动，从而保护下游电路；
• 低功耗电路：由于其较低的正向压降，适用于对功耗敏感的应用，如移动设备和便携式电子产品。

4. 性能优势

BAT54SWT1G 在多个方面展现出其卓越性能：

• 低正向压降：在 100 mA 的电流下，800 mV 的 Vf 确保了在传输电流时的低功耗损耗。
• 高效率和低反向泄漏：仅 2 µA 的反向泄漏电流进一步提高了整流效率，适用于电池管理系统等对能效要求严格的应用。
• 宽温工作范围：-55°C 到 125°C 的工作温度范围确保其在极端环境下稳定运行，适应性强。
• 快速响应特性：其 5 ns 的反向恢复时间使其在高频应用中拥有良好的表现，支持快速开关操作。

5. 封装与安装

BAT54SWT1G 使用 SOT-323 封装，这种尺寸紧凑的表面贴装封装方便了 PCB 布局，节省了更多设计空间，特别适合在空间受限的产品设计中使用。该封装具有良好的热性能，有助于管理在高效工作时产生的热量。

6. 总结

总之，BAT54SWT1G 是一款性能优越的肖特基二极管，集成了低正向压降、低反向泄漏及快速恢复时间等一系列特性，是现代电子设计中不可或缺的组件。其广泛的适用性和优越的电气性能，使其成为电源管理、信号处理及保护电路等应用中的理想选择。没错，BAT54SWT1G 将为您的设计提供稳定、可靠的电气性能，是追求高效能与低功耗系统的设计工程师值得投资的优质组件。