FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 600 毫欧 @ 3.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 390pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),42W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-251AA |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
概述: IRFU9120PBF 是一款由 VISHAY(威世)公司生产的高级 P 型通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电气性能和可靠性。此元器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电路,如DC-DC转换器、电机驱动、功率放大器和电源管理系统。IRFU9120PBF 以其高漏源电压和电流能力,适合要求严格的工业和消费电子应用。
关键参数:
应用场景: IRFU9120PBF 适用于众多需要高电压及电流承载能力的应用场景,包括但不限于:
电机驱动控制:在各种电动机控制器中,用于高效开关和功率调节,确保电机在高效能条件下运转。
DC-DC转换器:在开关电源和升降压转换器中,作为开关元件使用,提高能量转换效率,减少热损耗。
功率放大器:特别是在RF或音频应用中,提供强大的信号放大能力。
电源管理系统:用在智能电源管理模块中,确保系统稳定性和效能。
总结: IRFU9120PBF 是一款高性能的 P 型 MOSFET,适合在需要大功率和高电压的多种电子应用中使用。其优越的导通特性、低导通电阻、宽广的工作温度范围以及强大的功率耗散能力,使其在现代电子设备中成为了一种理想的选择。VISHAY作为知名电子元器件供应商,确保了此产品的高质量和高可靠性,使 IRFU9120PBF 成为广大工程师和设计师信赖的组件之一。无论是在工业应用还是消费电子设计中,IRFU9120PBF 都能够满足严苛的技术要求和性能标准。