制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 72A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 22 毫欧 @ 44A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 375W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
漏源电压(Vdss) | 200V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 150nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5380pF @ 50V |
IRFS4127TRLPBF 是由著名半导体厂商 Infineon Technologies 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,属于其知名的 HEXFET® 系列。该产品可以在各种应用中提供卓越的功率管理性能,并且具备高效率和优良的热管理能力,适合用于电源管理、DC-DC 转换器以及电机驱动等多种场景。
电流与功率处理能力
电压规格
导通电阻
驱动电压和阈值电压
工作环境
电容与电荷特性
IRFS4127TRLPBF 采用 D2PAK 封装,报告为 TO-263-3 格式。此种封装方式有助于简化表面贴装过程,同时提供良好的散热性能,适合大电流及高功率应用。此外,其卷带(TR)包装形式便于自动化贴装线的处理。
因其卓越的性能和较宽的工作温度范围,IRFS4127TRLPBF 广泛应用于:
IRFS4127TRLPBF 是一款出色的 N 通道 MOSFET,基于其良好的电流和电压性能、低导通电阻及高功耗处理能力,使其能够应对多种高性能应用。作为 Infineon 的一款产品,IRFS4127TRLPBF 不仅适应了现代电子产品对高效率和低发热的需求,同时也确保了在极端环境下的可靠性,适合各种工业和消费电子领域的开发与设计。无论是在电源管理、工业控制还是汽车电子方面,IRFS4127TRLPBF 都是一款非常值得考虑的元件。