IRFS4115TRLPBF
IRFS4115TRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.1 毫欧 @ 62A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5270pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRFS4115TRLPBF手册
IRFS4115TRLPBF概述
产品概述：IRFS4115TRLPBF
一、产品基本信息
IRFS4115TRLPBF是一款高性能的N通道MOSFET，属于Infineon（英飞凌）公司制造。该器件的设计专门针对高电压和高电流应用，具有显著的散热能力和优异的开关特性。它的主要技术参数包括漏源电压（Vdss）150V、最大连续漏极电流（Id）195A（在适当温度条件下），以及最大功率耗散375W。这些特性使得IRFS4115TRLPBF在众多领域中得到了广泛应用，如电源管理、工业驱动和电动车辆等。
二、主要电气参数
漏源电压（Vdss）：150V。它表明该器件可以承受的最大漏源电压，适用于高压电路设计。
连续漏极电流（Id）：在25°C时为195A（在晶体管接头温度Tc的条件下）。高电流承载能力使其适用于需要大电流的应用场景。
导通电阻（Rds On）：在Vgs为10V时，Id为62A时向下最大值为12.1毫欧。这一低导通电阻特性能够有效减少直流损耗，提升电力转换效率。
栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大值为5V @ 250µA。它有助于确保MOSFET在适当的栅源电压下能够迅速导通。
栅极电荷（Qg）：在Vgs为10V时，最大值为120nC。这一特性指示了器件在开关操作中所需的能量，低栅极电荷意味着更快的开关速度。
输入电容（Ciss）：在不同的Vds条件下，最大值为5270pF @ 50V。这保证了在高频操作中更好的稳定性。
工作温度范围：-55°C至175°C（TJ）。广泛的工作温度范围使得IRFS4115TRLPBF在极端环境下依然可靠运行。
三、封装和安装
IRFS4115TRLPBF采用表面贴装型封装，具体为TO-263-3（D²Pak）。这种封装方式不仅有助于其在紧凑的电路中进行安装，还能有效管理发热，提高散热效率，保证器件性能。
四、应用场景
由于其出色的电气性能，IRFS4115TRLPBF适合在多种领域内使用：
电源管理：在高效开关电源（SMPS）设计中，用于降压转换器、升压转换器等。
工业驱动：可用于电机驱动和传动系统中，保障提供稳定和高效的电力。
电动汽车：适合用于驱动电动机和电池管理系统，保障电动车辆的高效运行。
风能和太阳能系统：在可再生能源系统中进行电力转换和控制。
五、市场优势和总结
IRFS4115TRLPBF凭借其高效的功率转换能力和优越的工作表现，成为当今市场中一款理想的MOSFET选择。它不仅支持高电流、高电压应用，还具备良好的热管理性能，适用于多种工业及消费领域。无论是在电源设计、驱动控制还是可再生能源利用中，IRFS4115TRLPBF都提供了一种高效且可靠的解决方案。 通过合理的应用和设计，使用该器件能够显著提高系统的整体性能与可靠性。