FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 411nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13703pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 341W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP7530PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产。该器件集成了先进的 MOSFET 技术,具有卓越的导电性能、高功率密度和广泛的应用范围,非常适合高效能开关电源、逆变器、电动机驱动及其他高电流场合。
IRFP7530PBF 较高的电流和功率处理能力,使其在多种应用中非常受欢迎,包括但不限于:
IRFP7530PBF 是一款兼具高效能、稳定性和耐用性的 MOSFET,适合在多个高电流和高功率的应用场景中使用。它的设计考虑了广泛的工作条件和多样的应用需求,从而为工程师和技术人员提供了优良的解决方案。此外,英飞凌作为知名品牌,其产品质量可靠,备受市场认可,为用户提供了一个值得信赖的选项。