IRFP4868PBF
IRFP4868PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 42A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 270nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10774pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 517W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4868PBF手册
IRFP4868PBF概述
IRFP4868PBF 产品概述
产品基本信息
IRFP4868PBF是一款高性能N通道MOSFET，采用TO-247AC封装，专为高功率应用设计。该器件的最大漏源电压（Vdss）为300V，能够支持高电压操作，因而适用范围广泛，涵盖了工业电源、电机驱动、逆变器和其他高功率开关设备。其设计涵盖了出色的导通性能和热管理能力，使其在苛刻环境中同样表现优异。
电气特性
IRFP4868PBF的漏电流持续额定值达到70A（在适当的散热条件下），而电阻（Rds On）在10V栅极驱动下的最大值可低至32毫欧（@42A），这表明其在导通状态下损耗极小，有助于提升系统的效率。该器件的工作栅极电压（Vgs）可以在±20V的范围内操作，确保了其与大多数逻辑电平兼容，从而简化了驱动设计。
在性能方面，IRFP4868PBF的门极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，这使得它在低电压驱动条件下能够迅速开启，提升开关速度，降低开关损耗。同时，其栅极电荷（Qg）在10V驱动下最大值为270nC，表明驱动电路要求适中，减少了驱动器的损耗。在输入电容（Ciss）方面，IRFP4868PBF在50V时的最大值为10774pF，这意味着在高频应用中也能够良好地维持信号完整性。
热管理及功率耗散
IRFP4868PBF在功率耗散方面表现出色，其最大功耗达到517W（Tc），具备良好的散热能力。通过有效的散热设计，工程师可以在全负荷下保持器件的可靠性，确保在高温工作环境下（工作温度范围为-55°C至175°C）不出现热失控。
应用领域
由于IRFP4868PBF具备卓越的电气性能及温度稳定性，因此适合于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：用于电源转换、DC-DC变换器等领域，IRFP4868PBF可作为主开关元件，实现高效的能量转换。
- 电机控制：在电动机驱动系统中，MOSFET可用于高效开关控制，适应于电动汽车、工业机械等形式的电机控制解决方案。
- 逆变器：在光伏发电、风能转换等可再生能源系统中，MOSFET能够适应高负载和高频开关的应用场合，提升能量的转换效率。
- 无线电及通讯设备：因其功耗低及响应快，适合在高频通讯设备中使用，保障信号质量及系统稳定性。
总结
总之，IRFP4868PBF是一款设计优良的N通道MOSFET，结合了高电压、高电流和低导通电阻的特性，适合于多种高功率应用。作为Infineon（英飞凌）公司的产品，其质量、可靠性和性能已经在业界得到了广泛的认可。有鉴于其卓越的热管理能力和广泛的工作温度范围，它是追求高效率、高可靠性的开关电源设计及控制系统中不可或缺的关键元件。对于电子设计师而言，IRFP4868PBF无疑是实现高效能解决方案的理想选择。