IRFP4310ZPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFP4310ZPBF

商品编码: BM0058402720
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-247AC
包装 : 
管装
重量 : 
8.2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 280W 100V 120A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
25(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
11.55
按整 :
管(1管有400个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥11.55
--
10+
¥9.345
--
400+
¥9.16
--
4000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP4310ZPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 150µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)170nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6860pF @ 50V
功率耗散(最大值)280W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC
封装/外壳TO-247-3

IRFP4310ZPBF手册

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IRFP4310ZPBF概述

产品概述:IRFP4310ZPBF

简介

IRFP4310ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET,专为高电压和高电流应用设计,具有卓越的导通性能和热管理能力。该器件由全球知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)提供,适合多种工业和消费电子应用。

关键参数

IRFP4310ZPBF具备以下主要参数:

  • FET 类型:N通道
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 最大连续漏极电流(Id):120A(在特定条件下)
  • 最大导通电阻(Rds(on)):6毫欧(在75A、10V条件下)
  • 驱动电压范围:10V
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大4V @ 150µA
  • 栅极电荷(Qg):最大170nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss):6860pF @ 50V
  • 功率耗散:最大280W(在Tc=25°C条件下)
  • 工作温度范围:-55°C 至 175°C
  • 封装:TO-247AC,适用于通孔安装

特点与优势

  1. 高效能:其低导通电阻(Rds(on))使得IRFP4310ZPBF在高电流工作条件下能够显著降低功耗和发热,提升整体效率。这一特性尤其在电源管理和电机驱动应用中极为重要。

  2. 高耐压:该器件的最大漏源电压为100V,使其能够在要求高电压的应用环境中稳定工作。此特性使其成为许多工业设备和电力电子产品的理想选择。

  3. 优越的热性能:IRFP4310ZPBF的设计考虑了高热量的管理,100V和120A的电流承载能力加上280W的功耗允许其在恶劣条件下长时间运行而不失去性能。

  4. 广泛的应用领域:由于其卓越的性能,IRFP4310ZPBF适用于各种高效电源转换器和逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高功率和高电压的应用。

  5. 宽温度工作范围:该MOSFET支持-55°C到175°C的宽温度范围,使其适用于严苛的环境应用,比如汽车、高海拔及工业环境,进一步增强了其适用性。

应用场景

  • 电源管理系统:适用于高效的开关电源和DC-DC转换器,提供高效能和稳定性。
  • 电动汽车驱动系统:在电动汽车和混合动力汽车中用于电动机控制及功率转换。
  • 电机控制:可广泛应用于工业电机驱动器中,增强电机性能和效率。
  • 可再生能源:在太阳能逆变器和风能转换系统中,提供可靠的能量转换和管理。

结论

IRFP4310ZPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压和出色的热管理能力,成为高功率电子设备和电源系统中不可或缺的关键组件。它适应了现代电子设备对高效率、可靠性和耐用性的需求,是工程师在设计和搭建先进电力电子系统时的首选器件。