FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 毫欧 @ 75A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 170nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6860pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 280W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4310ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET,专为高电压和高电流应用设计,具有卓越的导通性能和热管理能力。该器件由全球知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)提供,适合多种工业和消费电子应用。
IRFP4310ZPBF具备以下主要参数:
高效能:其低导通电阻(Rds(on))使得IRFP4310ZPBF在高电流工作条件下能够显著降低功耗和发热,提升整体效率。这一特性尤其在电源管理和电机驱动应用中极为重要。
高耐压:该器件的最大漏源电压为100V,使其能够在要求高电压的应用环境中稳定工作。此特性使其成为许多工业设备和电力电子产品的理想选择。
优越的热性能:IRFP4310ZPBF的设计考虑了高热量的管理,100V和120A的电流承载能力加上280W的功耗允许其在恶劣条件下长时间运行而不失去性能。
广泛的应用领域:由于其卓越的性能,IRFP4310ZPBF适用于各种高效电源转换器和逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高功率和高电压的应用。
宽温度工作范围:该MOSFET支持-55°C到175°C的宽温度范围,使其适用于严苛的环境应用,比如汽车、高海拔及工业环境,进一步增强了其适用性。
IRFP4310ZPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压和出色的热管理能力,成为高功率电子设备和电源系统中不可或缺的关键组件。它适应了现代电子设备对高效率、可靠性和耐用性的需求,是工程师在设计和搭建先进电力电子系统时的首选器件。