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IRFBC40PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB-3
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 600V 6.2A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.1按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.1
--
100+
￥4.88
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFBC40PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFBC40PBF手册
无数据
IRFBC40PBF概述
产品概述：IRFBC40PBF N沟道MOSFET
一、产品概述
IRFBC40PBF 是一款高性能的 N-channel MOSFET（场效应晶体管），专为高电压和高电流应用而设计。该器件由全球知名的半导体制造商VISHAY（威世）生产，采用TO-220AB封装。其主要的电气参数使其适用于各种电源管理、电机驱动和开关电源等应用。
二、主要特性
- 高漏源电压（Vdss）: 最大可承受漏源电压为600V，适合于高压电路应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在热量管理良好的情况下，能够承载高达6.2A的电流，非常适合高功率应用。
- 低导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为1.2Ω（在3.7A电流下）。这一特性使得器件在导通时的功耗降低，从而提高了整体效率。
- 控制栅极电压（Vgs）: 该产品的最大栅极驱动电压为±20V，确保了在不同工作条件下的灵活性。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为4V @ 250µA，这意味着该MOSFET在较低的栅电压下就能够开启，从而提高了负载启动车的灵敏度。
- 输入电容（Ciss）: 在25V时的输入电容最大为1300pF，适合高频开关操作，能有效减少开关损耗。
- 工作温度范围: 适用的工作温度范围为-55°C至150°C，增强了其在极端环境下的可靠性。
- 功率耗散: 最大功率耗散为125W（在适当的散热条件下），适合高功率密度应用场合。
三、应用领域
IRFBC40PBF 具有广泛的应用场景，包括但不限于以下领域：
开关电源: 由于其高效的开关特性，该MOSFET可用于AC-DC转换和DC-DC转换器，提升整体系统的转换效率。
电机驱动: 在电动机控制器中作为开关元件，通过PWM调制控制电机转速，提升能量利用率和驱动效果。
功率放大器: 适合用于高功率放大器中，能够有效地处理较高的功率负载。
照明控制: 在LED驱动电路中，IRFBC40PBF 可以用来实现高效的开关控制，提高系统的控制精度和功率效率。
电源管理: 在各类电子设备的电源模块中，当需要在高压和高隔离条件下工作时，这款MOSFET 显得尤为重要。
四、封装与安装
IRFBC40PBF 采用TO-220AB的通孔封装，方便热量管理和即时散热，能够适应不同的电路板设计。此封装形式在功率元件中得到广泛应用，提供了良好的机械强度和电气连接。
五、总结
总的来说，IRFBC40PBF是一款结构紧凑、性能优越的N沟道MOSFET，适用于高电压和高电流驱动应用。其具备的低导通电阻、宽广的工作温度范围及高功率处理能力，使得其在电源管理和功率控制等领域成为理想选择。威世公司凭借其卓越的技术背景和严格的质量控制，为客户提供了一款值得信赖的电子元器件，帮助实现高效能和高可靠性的电气设计解决方案。