IRF9Z34NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），68W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620pF @ 25V |
IRF9Z34NSTRLPBF手册
IRF9Z34NSTRLPBF概述
产品概述：IRF9Z34NSTRLPBF
基础信息
IRF9Z34NSTRLPBF 是 Infineon Technologies 制造的一款高性能 P 通道 MOSFET，属于其知名的 HEXFET® 系列。该器件采用卷带包装（TR），适合于表面贴装型的应用，广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动及其他需要高效开关的电路中。
电气特性
IRF9Z34NSTRLPBF 的主要电气特性包括：
- 漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 可以支持连续漏极电流达 19A。这一特性使其适合各种高电流的应用场景。
- 导通电阻（Rds On）: 在 10A 和 10V 的条件下，器件的最大导通电阻为 100 毫欧。较低的导通电阻降低了电能损耗，提高了运行效率，适于高效能的电源设计。
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的漏源最大电压为 55V，确保其能够在较高电压下安全可靠地工作。
- 驱动电压（Vgs）: 最大片极驱动电压为 ±20V，确保其与大多数控制电路兼容。
温度与功率处理
IRF9Z34NSTRLPBF 的工作温度范围极为广泛，从 -55°C 到 175°C，展现了其优异的热稳定性。这使得该元件在恶劣环境和极端条件下依然能够可靠工作。该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 3.8W（在环境温度 Ta 时）以及 68W（在结温 Tc 时），具有出色的散热性能，适合于高负载应用。
栅极特性
该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4V @ 250µA，意味着它在低电压下即可开始导电，增强了其应用灵活性。栅极电荷（Qg）最大值为 35nC @ 10V，这表明在开关操作时所需的驱动功率较低，进一步提高了系统的整体效率。
电容特性
在不同的漏源电压（Vds）下，IRF9Z34NSTRLPBF 的输入电容最大为 620pF @ 25V。这一较低的输入电容使得 MOSFET 在高切换频率应用中具有良好的性能，能够有效减少开关损耗。
封装与应用
IRF9Z34NSTRLPBF 采用 D2PAK 封装形式，其特点是耐高温以及良好的散热性能。该封装设计使得器件在电力密集的应用中能够维持较低的工作温度，有效延长了其使用寿命。适合应用在电源管理、开关电源、反向电流保护和马达驱动系统等场景。
应用领域
IRF9Z34NSTRLPBF 在以下应用领域展现出了广泛的适用性：
- 电源转换: 可用于 DC-DC 转换器、电源开关和负载开关，帮助实现高效的电能管理。
- 马达控制: 在电动机驱动和控制系统中，提供快速切换和稳定的性能。
- 电能监测与管理: 在高能耗设备的控制中，助力实现节能和资源的最优利用。
总结
IRF9Z34NSTRLPBF 是一款高效的 P 通道 MOSFET，以其卓越的电气性能、宽广的温度范围和适应多种市场需求的灵活特性，成为了现代电子设计中不可或缺的组成部分。无论是在开关电源还是在电动机控制领域，这款 MOSFET 都能提供优异的性能与可靠性，帮助设计工程师实现更高效、更可靠的电子产品。