IRF9389TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF9389TRPBF

商品编码: BM0058402684
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.275g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 6.8A 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.59
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.59
--
100+
¥1.22
--
1000+
¥1.02
--
2000+
¥0.927
--
4000+
¥0.85
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF9389TRPBF参数

FET 类型N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.8A,4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)27 毫欧 @ 6.8A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)14nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)398pF @ 15V
功率 - 最大值2W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

IRF9389TRPBF手册

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IRF9389TRPBF概述

产品概述:IRF9389TRPBF

概述

IRF9389TRPBF 是一款来自英飞凌科技(Infineon Technologies)的高性能场效应管(MOSFET),专为低电压和高效率的开关应用设计。此器件采用了先进的N沟道和P沟道结构,在多种电子电路应用中展现出卓越的性能,特别是在高频开关和逻辑电平门电路中。IRF9389TRPBF 的镀金SO-8封装使其适合于自动化生产线的表面贴装技术,且体积小巧,帮助节省电路板空间。

关键参数

  1. FET类型:N沟道和P沟道
  2. 逻辑电平门:适用在逻辑电平控制的电路中,实现高效的开关操作。
  3. 漏源电压(Vdss):最大30V,适用于中低电压的电源开关应用。
  4. 连续漏极电流(Id):N沟道的最大值为6.8A,P沟道为4.6A,保证了在功率需求较大的应用中依然可以稳定工作。
  5. 导通电阻(Rds(on)):在10V的栅极电压下,N沟道的最大导通电阻仅为27毫欧(@6.8A),确保低能耗和高效率。
  6. 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为2.3V,保证了方向控制的灵敏性和有效性。
  7. 栅极电荷(Qg):在10V下,栅极电荷最大为14nC,确保快速开关特性。
  8. 输入电容(Ciss):在15V下最大可达398pF,适用于高频应用。
  9. 功率最大值:能够承受最高2W的功率输出,适合多种功率电子设计。
  10. 工作温度范围:广泛的工作温度范围为-55°C至150°C,使其在恶劣环境下仍然能够稳定运行。

应用场景

IRF9389TRPBF 可广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:可用于DC-DC转换器和电力管理电路中,提升挤出的电流效率。
  • 电机驱动:适合作为H桥电路中的开关元件,实现电机的正反转控制。
  • LED驱动:实现高效的LED灯具,包括条形灯和背光照明。
  • 逻辑电平电路:在逻辑控制模块中有效驱动负载,适用于微控制器和数字电路的直接接口。
  • 功率放大:在音频放大器和射频应用中提供频宽和功率处理能力。

封装和安装

IRF9389TRPBF 采用SO-8表面贴装封装,使得其在PCB设计上具有良好的适应性,便于实现高密度布局。SO-8封装的优势在于引脚间距适中、热性能优秀,适合于大批量生产,能够在汇流排或集成电路中保持良好的连接稳定性。

对比优势

与同类产品相比,IRF9389TRPBF 提供了更低的导通电阻和较高的连续工作电流能力,特别是在相对小尺寸和高效能的表面贴装封装中,展现出较强的市场竞争力。此外,广泛的工作温度范围以及逻辑电平门设计使其适用于更广泛的应用场景,为用户提供了更大的设计灵活性。

总结

IRF9389TRPBF 是一款集成了高性能、优良温度范围和低功耗特性的MOSFET,适合现代电子设备的多种应用。无论是开关电源、马达驱动还是逻辑电平控制,IRF9389TRPBF 都为设计师提供了理想的解决方案。它的可靠性和高效率将为新一代电子设备提供更强劲的动力支持。