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IRF7458TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.286g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 14A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
12(起订量1,增量1)
批次 :
20+数量 :
X
5.81按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.81
--
100+
￥4.85
--
1000+
￥4.49
--
2000+
￥4.27
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7458TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V，16V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 14A，16V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 59nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2410pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7458TRPBF手册
无数据
IRF7458TRPBF概述
产品概述：IRF7458TRPBF
概述
IRF7458TRPBF是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，专为各种电力应用而设计。具有优异的电流承载能力和低导通电阻，IRF7458TRPBF在功率转换、电源管理、以及电机驱动等领域中展现出卓越的性能。
技术规格
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：14A（在25°C环境温度下）
- 驱动电压（Vgs）：
- 最大Rds On：10V
- 最小Rds On：16V
- 导通电阻（Rds(on)）：在14A和16V下最大为8 毫欧
- Vgs(th)（门源阈值电压）：最大4V（在250µA条件下）
- 栅极电荷（Qg）：在10V下最大值为59nC
- 栅极-源极电压（Vgs最大值）：±30V
- 输入电容（Ciss）：在15V条件下最大2410pF
- 功率耗散（最大值）：2.5W（在环境温度下）
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 安装类型：表面贴装型（SMD）
- 封装：SO-8（8-SOIC，0.154"，3.90mm 宽）
性能特点
IRF7458TRPBF的设计旨在确保低导通损耗，这使得其在电力转换时非常高效。其低导通电阻（Rds(on)）意味着在使用过程中发热量较小，有助于提高系统的整体效率。此外，其最大漏源电压（Vdss）为30V，使得该组件适用于中等电压的应用场景。
其优异的输入电容（Ciss）特征使得在高频操作时能够保持较低的开关损失，从而提高开关频率并降低总成本。IRF7458TRPBF同样具备较高的耐温性，工作温度范围宽广，使得其在恶劣环境下仍能稳定工作。
应用场景
由于其优异的性能，IRF7458TRPBF适合广泛的应用，包括但不限于：
- DC-DC转换器：用于高效电压转换和电源管理。
- 电机驱动：在电动机的供电和控制方面表现良好，特别是在需要高电流的应用中。
- 开关电源：在各种开关电源设计中，IRF7458TRPBF能够有效地控制电能的流动。
- LED驱动：保证LED供电的稳定性和效率。
封装与安装
IRF7458TRPBF采用SO-8封装，适合Surface Mount Technology (SMT)安装，这使其能够方便集成到现代PCB设计中，适应高度自动化的生产流程。小巧的SO-8封装不仅节省空间，还有助于降低整体的材料成本。
结论
总体而言，IRF7458TRPBF是一个强大且灵活的N沟道MOSFET，特别适用于需要高电流和高效率的电力电子应用。其低导通电阻、高耐温性、以及广泛的工作范围使其成为电力转换、电机驱动等应用领域的理想选择。借助英飞凌的优质制造工艺和可靠的技术支持，IRF7458TRPBF能够帮助设计师实现高效、可靠的电源解决方案。