制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 管件 |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 77 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 3.7W(Ta),150W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 漏源电压(Vdss) | 100V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 72nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1700pF @ 25V |
基本产品编号 | IRF540 |
IRF540SPBF是一款由Vishay Siliconix生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于电源转换、电机驱动和开关电路等场景。其设计理念是为各种应用提供卓越的功率处理能力、高效的导通特性和耐用性。
IRF540SPBF的主要特点包括:
IRF540SPBF由于其强大的性能,适用于以下领域:
Vishay为IRF540SPBF产品提供了详细的技术资料和应用支持,包括特性曲线、接线图和PCB设计指南,以帮助工程师在设计阶段合理使用该元件。此外,Vishay的全球服务网络确保客户可以获得及时的技术支持和产品服务。
总的来说,IRF540SPBF是一个以高效、耐用和广泛应用为特点的N沟道MOSFET,能够满足现代电子设备对功率、热管理以及环境适应性的严苛要求。其先进的设计理念和可靠的性能使得IRF540SPBF在电力电子领域扮演着重要的角色。通过其优异的规格和特性,该产品值得被广泛应用于各种高功率电路的开发中。