ZVN4310GTA

ZVN4310GTA 产品概述

制造商：Diodes Incorporated
封装类型：SOT-223
产品状态：有源
产品类型：N型沟道MOSFET
应用领域：功率开关、线性调节、开关电源以及高效能电路等

一、基本参数

ZVN4310GTA是一种高性能的N型沟道MOSFET，设计用于具有高电流和低功耗需求的各种电子电路。该MOSFET具有优异的电气特性，适合用于多种应用场合，体现了现代电力电子技术发展的趋势。

1. 电流特性：

   • 在25°C工作环境下，ZVN4310GTA的连续漏极电流（Id）可达到1.67A。这使得它适用于需要处理中等电流的电路，增强了设计灵活性。

2. 电压特性：

   • 该器件的漏源电压（Vdss）最高可达100V，这意味着它能够承受较高的电压，应对各种高电压应用。

3. 导通电阻：

   • ZVN4310GTA在10V的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds On）最大值为540毫欧，表明其在工作状态下具有较低的功耗和发热量，从而提高了整体效率和可靠性。

4. 栅极阈值电压：

   • 当Id达到1mA时，Vgs(th)最大值为3V，为MOSFET的开启提供了适宜的工作条件，保证了器件的可靠运行。

5. 功耗特性：

   • 该元器件的最大功率耗散为3W（Ta），在适当散热条件下，可保证器件稳定运行，满足现代电源转换及开关应用的严苛要求。

6. 工作温度范围：

   • ZVN4310GTA的工作温度范围广泛，最低可达-55°C，最高可达150°C，适合在极端环境下使用，增加了应用的灵活性和可靠性。

二、技术特性

• 输入电容（Ciss）：在25V下的最大输入电容为350pF，较小的输入电容可实现快速的开关响应，提升了电路的工作效率。

• 栅控电压（Vgs）：该MOSFET的栅极选择电压范围为±20V，允许多样化的驱动电路设计，兼容性良好，有利于系统集成。

三、封装特性

ZVN4310GTA采用SOT-223封装，适合表面贴装（SMT）技术，能够有效缩小电路板面积，优化产品的整体设计。此外，该封装类型易于热管理，有利于在高功率应用中保证器件的散热性能。

四、应用场景

ZVN4310GTA广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）：其高开关频率和低Rds On特性非常适合用于高效的电源管理及转换电路。
• 电动机驱动：在电机控制领域，能够有效地控制电动机的启停和调速。
• 电池管理系统：以其高电流承载能力和低功耗特性被用于电池的充放电管理。
• 电子开关：可以用于各种控制电路，实现负载的开关控制。

五、总结

ZVN4310GTA N型沟道MOSFET是Diodes Incorporated强大的产品阵容中的一员，凭借其出色的电气性能、宽广的工作温度范围和灵活的应用场景，被广泛应用于现代电子产品。无论是在高效能的电源管理，还是在严苛的环境条件下的电气控制，ZVN4310GTA都展现出其作为一种高效能MOSFET器件的优势，使得设计工程师们能够开发出更加强大且高效的电子产品。