驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.7V ~ 14V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.4V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.5A,2.5A | 输入类型 | CMOS/TTL |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 50V | 上升/下降时间(典型值) | 16ns,12ns |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 10-UFDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | U-DFN3030-10 |
DGD05473FNQ-7 是由美台 (DIODES) 生产的一款高性能 MOSFET 半桥驱动器,专为电机驱动和高效电源管理应用设计。其面向工业、消费电子以及汽车等领域,具备优秀的驱动能力和高效能,以满足多样化的应用需求。
结构设计:该驱动器是基于半桥架构设计,具备两个独立的通道,使其能够分别驱动高侧和低侧 MOSFET,广泛运用于电机控制和开关电源领域。此特点不仅提升了系统的灵活性,同时也简化了电路设计。
电压/电流规格:DGD05473FNQ-7 的供电电压范围为 4.7V 到 14V,适合于中低电压应用。同时,其逻辑电压范围为 0.8V 至 2.4V,支持 CMOS 和 TTL 输入,可以与多种控制器兼容。此外,该驱动器能够提供高达 1.5A 的灌入和 2.5A 的拉出电流,确保其在快速开关条件下仍然能够稳定工作。
自举能力:其高压侧电压最大可达 50V,使其能够在高电压应用中有效工作,是其在电机驱动和功率转换等高电压场合的理想选择。
时间特性:DGD05473FNQ-7 在上升和下降时间方面表现出色,分别为 16ns 和 12ns,这使得其在高速开关应用中具备极佳的响应能力,降低了开关损耗,提高了整体效率。
耐温性能:该产品的工作温度高达 150°C,极大地扩展了其应用范围,尤其适合于高温或恶劣环境条件下的使用。
DGD05473FNQ-7 使用表面贴装型 U-DFN3030-10 封装,具有较小的占板面积和良好的散热性能,适合现代电子产品的紧凑设计。裸露焊盘设计便于热量散发,提高了器件的可靠性。
DGD05473FNQ-7 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总之,DGD05473FNQ-7 是一款功能强大且灵活的 MOSFET 半桥驱动器,凭借其卓越的性能、广泛的工作电压范围和优秀的时间响应特性,非常适合在多种应用场合中使用。无论是电机驱动、能源管理还是汽车应用,该驱动器都能够提供高效、可靠的解决方案,助力设计工程师在复杂电路中实现更高的性能和更加稳定的工作状态。选择 DGD05473FNQ-7,不仅是对产品质量的认可,更是对未来应用的无限可能的追求。