制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 3.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9 欧姆 @ 200mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±40V |
功率耗散(最大值) | 750mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | 漏源电压(Vdss) | 240V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 200pF @ 25V |
ZVP4424A 是一款由美台(Diodes Incorporated)生产的高性能 P 通道 MOSFET(场效应管),封装采用标准的 TO-92-3 型号,适合各种电子电路中的开关和放大应用。这款 MOSFET 的电流能力为 200mA,最大漏源电压为 240V,具有极低的导通电阻和较高的功率耗散能力,适用于要求较高的开关速度和效率的电路设计。
ZVP4424A 的设计旨在实现最佳的性能与可靠性。在其操作条件下,最大漏源电压达到 240V,能够满足高电压电路的需求。所具备的 200mA 连续漏极电流能力使其非常适合大多数常见的功率开关和信号处理应用。
其导通电阻为仅 9Ω,这在高电流情况下可以显著降低功耗,提高电路效率。此外,该器件的 Vgs(th) 最大值为 2V,这意味着在较低的控制电压下,即可实现开关状态,非常适合低功耗和便携式设备的应用。
ZVP4424A 具有优异的耐高温特性,其工作温度范围可达 -55°C 至 150°C,极大地扩展了其应用场景,尤其是在汽车和工业领域需要耐高温元器件的场合。它的设计和制造符合大多数电子产品对高可靠性的要求,因此在各种严苛的环境中均可放心使用。
ZVP4424A 适用于各种应用,包括但不限于:
由于其优良的电流承载能力和较低的导通电阻,ZVP4424A 也可以用于电机控制、电池充电器、家庭自动化设备等领域。
ZVP4424A 通过优秀的电气参数和灵活的封装设计,使其成为市场上一个极具吸引力的 P 通道 MOSFET 解决方案。其在各种电子应用中的卓越性能,使得该器件成为设计者和工程师在选择 MOSFET 解决方案时的优先选择之一。无论是针对简单的开关应用还是复杂的功率调度电路,ZVP4424A 都能满足其所需的高效率和稳定性。对于寻求高质量、高效率 MOSFET 的设计者来说,ZVP4424A 是一个值得信赖的理想选择。