ZVP4424A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZVP4424A

商品编码: BM0058401376
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
0.165g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 750mW 240V 200mA 1个P沟道 TO-92-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.6
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.6
--
100+
¥3.83
--
1000+
¥3.55
--
2000+
¥3.38
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVP4424A参数

制造商Diodes Incorporated包装散装
零件状态有源FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)3.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mAVgs(最大值)±40V
功率耗散(最大值)750mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-92-3
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)漏源电压(Vdss)240V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)200pF @ 25V

ZVP4424A手册

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ZVP4424A概述

ZVP4424A 产品概述

基本信息

ZVP4424A 是一款由美台(Diodes Incorporated)生产的高性能 P 通道 MOSFET(场效应管),封装采用标准的 TO-92-3 型号,适合各种电子电路中的开关和放大应用。这款 MOSFET 的电流能力为 200mA,最大漏源电压为 240V,具有极低的导通电阻和较高的功率耗散能力,适用于要求较高的开关速度和效率的电路设计。

关键参数

  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 类型:P 通道 MOSFET
  • 电流 - 连续漏极 (Id):200mA(在 25°C 时)
  • 漏源电压 (Vdss):240V
  • 最大功率耗散:750mW(在 Ta 条件下)
  • 导通电阻 (Rds(on))
    • 最大值:9欧姆 @ 200mA,10V
  • 驱动电压 (Vgs)
    • 最佳性能最大值:3.5V,10V
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值 2V @ 1mA
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 封装种类:TO-92-3

性能特点

ZVP4424A 的设计旨在实现最佳的性能与可靠性。在其操作条件下,最大漏源电压达到 240V,能够满足高电压电路的需求。所具备的 200mA 连续漏极电流能力使其非常适合大多数常见的功率开关和信号处理应用。

其导通电阻为仅 9Ω,这在高电流情况下可以显著降低功耗,提高电路效率。此外,该器件的 Vgs(th) 最大值为 2V,这意味着在较低的控制电压下,即可实现开关状态,非常适合低功耗和便携式设备的应用。

可靠性与耐温性

ZVP4424A 具有优异的耐高温特性,其工作温度范围可达 -55°C 至 150°C,极大地扩展了其应用场景,尤其是在汽车和工业领域需要耐高温元器件的场合。它的设计和制造符合大多数电子产品对高可靠性的要求,因此在各种严苛的环境中均可放心使用。

应用场景

ZVP4424A 适用于各种应用,包括但不限于:

  • 电源管理电路
  • 开关电源(SMPS)
  • 负载驱动和模块控制
  • 通讯设备和电池管理系统
  • 嵌入式系统和消费电子产品

由于其优良的电流承载能力和较低的导通电阻,ZVP4424A 也可以用于电机控制、电池充电器、家庭自动化设备等领域。

结语

ZVP4424A 通过优秀的电气参数和灵活的封装设计,使其成为市场上一个极具吸引力的 P 通道 MOSFET 解决方案。其在各种电子应用中的卓越性能,使得该器件成为设计者和工程师在选择 MOSFET 解决方案时的优先选择之一。无论是针对简单的开关应用还是复杂的功率调度电路,ZVP4424A 都能满足其所需的高效率和稳定性。对于寻求高质量、高效率 MOSFET 的设计者来说,ZVP4424A 是一个值得信赖的理想选择。