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ZVN4306GTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3W 60V 2.1A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
892(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
3.53按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.53
--
50+
￥2.71
--
1000+
￥2.26
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVN4306GTA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V |
ZVN4306GTA手册
无数据
ZVN4306GTA概述
产品概述：ZVN4306GTA N通道MOSFET
一、基本信息
ZVN4306GTA是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适合多种电子应用场景。该器件以其紧凑的SOT-223封装设计和优异的电气性能，在现代电子设计中表现卓越，特别是在电源管理和开关应用中。
二、技术参数
- 制造商：Diodes Incorporated
- 器件类型：N通道MOSFET
- 封装类型：SOT-223
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，其最大值为2.1A。
- 漏源电压（Vdss）：该器件能够承受的最大漏极至源极的电压为60V。
- 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=10V时，最大导通电阻为330毫欧，对于3A的电流条件下的表现尤为突出。
- 驱动电压（Vgs）：最小驱动电压为5V，最大为10V，这使得该MOSFET在多种控制电路中具有良好的适应性。
- 阈值电压（Vgs(th)）：在1mA电流情况下，阈值电压的最大值为3V，使得其在低电压信号下也能够稳定工作。
- 功率耗散：最大功率耗散为3W，适合于高密度和高热环境下的应用。
- 工作温度范围：其工作环境温度可在-55°C到150°C之间，适合于要求严苛的工业及汽车应用。
- 输入电容（Ciss）：在25V的条件下，最大输入电容为350pF，表明该器件在高频应用中也具备良好的特性。
三、应用场景
ZVN4306GTA的设计使其适用于广泛的领域，包括：
- 电源管理：该MOSFET能够在电源开关电路中有效控制电流的流动，用于电源转换器和稳压器等。
- 马达驱动：能够在马达控制电路中进行快速开关操作，以实现精确的速度控制和节能。
- 开关应用：适合于高频开关模式电源（SMPS）和其他数字电路开关应用。
- 信号放大：在某些低功耗信号放大电路中，ZVN4306GTA也展示出了良好的线性性能。
四、优越性能
ZVN4306GTA在导通电阻和阈值电压方面的优秀特性，使得其在降低功耗和提升开关效率方面表现突出。较低的导通电阻可以减少在开关过程中产生的热量，提高系统的整体效率。这一性能在移动设备、便携式电子产品及汽车电子等领域尤为关键。
五、总结
综上所述，ZVN4306GTA是Diodes Incorporated推出的一款高性能N通道MOSFET，凭借其高电流处理能力、宽工作温度范围和优异的电气性能，使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。无论是在电源管理、马达驱动还是信号放大应用中，ZVN4306GTA均能提供可靠的性能和极具灵活性的操作。选择ZVN4306GTA，将为您的设计带来稳定性和效率，为实现卓越的电气表现铺平道路。