制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 2W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-252-4L | 封装/外壳 | TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 35.2nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1926pF @ 30V |
DMNH6012LK3Q-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N 沟道 MOSFET,专为汽车应用而设计,符合 AEC-Q101 标准,以满足严苛的汽车环境要求。该器件采用 TO-252(DPak)封装,具有出色的电气性能和热特性,是现代电子系统中不可或缺的重要组件。
高效率与高电流承载能力: DMNH6012LK3Q-13 提供高达 80A 的连续漏极电流(Id),使其能够在快速开关和高负载条件下表现出色。适用于需要大电流处理能力的汽车电子应用,例如电动机驱动器、功率转换器及智能电源管理系统等。
低导通电阻: 该 MOSFET 在 10V 栅源电压(Vgs)下,最大导通电阻(Rds(on))为 12 毫欧(@ 25A),显著降低了功率损耗并提高了系统效率。这一特性使之在要求高效率的应用中表现尤为突出,能够有效地降低加热现象,对温度管理要求高的场合尤为重要。
宽广的工作温度范围: DMNH6012LK3Q-13 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C,确保了器件在极端环境中可靠工作。这种耐高温的设计使其成为适用于汽车发动机舱等高温应用的理想选择。
高击穿电压: 器件的漏源电压(Vds)为 60V,提供了良好的电压处理能力,适合于多种电源管理应用。其设计确保了在较高电压下的稳定性能,进一步扩大了应用范围。
快速开关能力: 在 10V 的栅极驱动条件下,该 MOSFET 的栅极电荷(Qg)最大值为 35.2nC,使得其能够快速切换,适合高频开关应用。特别是在需要快速响应的电源转换场合,如开关电源或电池管理系统中,DMNH6012LK3Q-13 能提供优异的表现。
卓越的热管理: 该器件的最大功率耗散能力为 2W(在环境温度 Ta 下),与其出色的导热特性结合,可以有效控制工作温度,降低系统总体的散热需求。
DMNH6012LK3Q-13 适用于多种汽车电子应用,尤其是在需要高电流、高效率和高可靠性的场合。主要应用包括:
DMNH6012LK3Q-13 是一款理想的 N 沟道 MOSFET,专为汽车应用设计,具有高效、可靠和广泛的应用前景。其卓越的电气参数和良好的热特性,使其成为汽车电子产品和电力控制应用的优质选择。对于开发高性能汽车电子设备的工程师而言,这是一个值得信赖的解决方案。