DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13 产品概述

概要

DMPH6023SK3Q-13 是由 Diodes Incorporated 制造的汽车级（AEC-Q101）P 通道 MOSFET，适用于各种高性能电子应用。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 包装: 卷带（TR）
• 零件状态: 有源
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）

电气特性

• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A（Tc）
  • 这表明该 MOSFET 在正常工作条件下可以承受的最大连续电流。
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:
  • 4.5V，10V
  • 这些值指出在不同栅极源极电压下，MOSFET 的导通电阻（Rds On）的范围。
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:
  • 33 毫欧 @ 10A，10V
  • 在特定条件下，MOSFET 的导通电阻非常低，这使得它在高效能应用中非常有用。
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:
  • 3V @ 250µA
  • 这是指在特定漏极电流条件下，栅极源极阈值电压的最大值，表示开启 MOSFET 所需的最小栅极电压。

工作特性

• Vgs（最大值）:
  • ±20V
  • 栅极源极之间允许的最大电压，超过此值可能会损坏设备。
• 功率耗散（最大值）:
  • 3.2W
  • 表示该 MOSFET 在正常工作条件下可以承受的最大功率耗散。
• 工作温度:
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 该范围表示该设备可以在极端温度条件下稳定运行。

封装和安装

• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
• 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 这些封装类型适合于现代电子设计中的表面贴装需求，提供了良好的散热性能和空间利用率。

其他关键参数

• 漏源电压（Vdss）:
  • 60V
  • 表示该 MOSFET 可以承受的最大漏源极之间的电压。
• 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:
  • 53.1nC @ 10V
  • 栅极电荷是指在开启或关闭 MOSFET 时所需的电荷量，这对驱动电路设计有重要影响。
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:
  • 2569pF @ 30V
  • 输入电容影响了设备的频率响应和驱动需求。

应用场景

DMPH6023SK3Q-13 由于其高性能和可靠性，适用于以下几个应用场景：

汽车电子系统

• 由于符合 AEC-Q101 标准，这款 MOSFET 特别适合用于汽车电子系统，如电动窗户、电动座椅、照明系统等。

电源管理

• 其低导通电阻和高连续电流能力使其成为高效能电源管理系统中的理想选择，例如 DC-DC 转换器、电池管理系统等。

工业控制

• 在工业控制领域，DMPH6023SK3Q-13 可用于驱动大型负载，如电机、阀门等，尤其是在需要高可靠性和耐久性的场合。

消费电子设备

• 该设备也可以用于消费电子产品，如笔记本电脑、平板电脑等的电源管理模块，提供高效能和低热量的解决方案。

总结

DMPH6023SK3Q-13 是一款高性能、汽车级 P 通道 MOSFET，具有低导通电阻、高速开关能力和广泛的工作温度范围。其在各种高要求应用中的优异表现，使其成为设计师和工程师的首选设备。通过选择此产品，可以确保系统的高效能、可靠性和耐久性。