ZXMP3A17DN8TA
ZXMP3A17DN8TA参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 3.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.28nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 630pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
ZXMP3A17DN8TA手册
ZXMP3A17DN8TA概述
ZXMP3A17DN8TA 产品概述
ZXMP3A17DN8TA 是一种高性能的 P 沟道场效应管（MOSFET），专为广泛的电子应用而设计，能够高效处理电源管理、开关电路及线性调节等任务。该器件由著名的电子元器件制造商 DIODES（美台）生产，具有优异的电气特性和出色的稳定性，适用于多种需求严苛的应用场景。
基本参数和特性
FET 类型和功能： ZXMP3A17DN8TA 为双 P 沟道 MOSFET，具备标准的功率开关特性，适合于低压电路的高效控制。每个通道都可以单独操作，方便实现多种电路控制。
电压和电流处理能力：它的漏源电压（Vdss）在 30V 范围内，确保能够在低压电路中安全工作。同时，在 25°C 环境温度下，连续漏极电流（Id）可达到 4.4A，表明其在实际应用中的高承载能力。
导通电阻和电流特性：该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）最大可达 70 毫欧，特别是在电流为 3.2A、栅源电压（Vgs）为 10V 的情况下，可以有效降低功耗和发热。此外，其漏源阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1V，确保在较低电压下也能快速导通。
栅极电荷及输入电容：ZXMP3A17DN8TA 的栅极电荷（Qg）在 Vgs 为 5V 时最大为 8.28nC，快速的开关速度使其在动态性能和频率响应上表现优异。而其输入电容（Ciss）在 Vds 为 15V 的情况下最大值为 630pF，能够有效控制信号传递。
功率处理能力及工作温度：该 MOSFET 的最大功率为 2.1W，适合于需要低功耗的设计需求。更为关键的是，其工作温度范围广泛，能够在 -55°C 到 150°C 的环境下稳定运行，使其适合于极端条件下的应用。
封装与安装方式：ZXMP3A17DN8TA 采用表面贴装的 SO-8 封装（尺寸为 0.154" 或 3.90mm 宽），这种封装形式不仅节省空间，便于自动化组装，且其良好的散热性能够有效提高器件的整体稳定性。
应用领域
ZXMP3A17DN8TA 的特性使其广泛应用于多个领域，包括：
- 电源管理：在开关电源、线性稳压器和其它电源调节中，能够高效地控制电流流动，优化电能的使用。
- LED 驱动电路：作为驱动 LED 的开关元件，能够实时控制电流和亮度，增加电路效率。
- 自动化控制：在各种电机驱动和传感器应用中，ZXMP3A17DN8TA 提供可靠的开关能力，确保系统的高效运行。
- 消费电子：在电视机、音响系统和其它消费类电子产品中，该 MOSFET 提供的高效能保障了电子设备的性能和稳定性。
结论
ZXMP3A17DN8TA 是一款性能优良的 P 沟道 MOSFET，凭借其理想的电流、电压特性和温度范围，成为设计工程师在模块化电源、驱动电路以及其它电子设备中不可或缺的元件。无论是在高频开关、功率转换还是信号处理等领域，它都能提供卓越的性能与可靠性，适合于现代电子设备的多样化需求。