ZXMN6A25GTA
ZXMN6A25GTA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20.4nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1063pF @ 30V |
ZXMN6A25GTA手册
ZXMN6A25GTA概述
ZXMN6A25GTA 产品概述
概述
ZXMN6A25GTA 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其设计面向各种现代电子应用，具备高效的开关性能和出色的热管理能力，能够有效处理高达 60V 的漏源电压，最大连续漏极电流为 4.8A。这款 MOSFET 的封装为 SOT-223，尺寸小巧，非常适合表面贴装，广泛应用于电源管理、电机驱动和其他高性能电子电路中。
关键特性
高电流承载能力：在 25°C 环境温度下，ZXMN6A25GTA 能支持的最大连续漏极电流为 4.8A，能够满足多种中等功率应用的需求。
高漏极电压：其漏源电压 (Vdss) 可高达 60V，使得该器件适用于更高电压的电路设计，特别适合需要高安全余量的应用。
优异的导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，其导通电阻可降至最大 50 毫欧，在 3.6A 电流下表现出优良的导通特性。这种低导通电阻的特性能有效减少在开关操作时的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
宽广的工作温度范围：工作温度范围为 -55°C 到 150°C (TJ)，使得 ZXMN6A25GTA 适合在极端环境下使用，增强了其应用的灵活性。
高栅极电压耐受性：其最大栅极驱动电压可达 ±20V，使该器件兼容于多种驱动电路，应用范围更为广泛。
低栅极电荷和输入电容：在 10V 的施加电压条件下，其栅极电荷为 20.4nC，而输入电容 (Ciss) 的最大值为 1063pF。这些特性确保了快速的开关速度和较小的驱动功耗，是高频应用中的一大优势。
应用场景
ZXMN6A25GTA 被广泛应用于：
- 开关电源（SMPS）：其出色的开关性能及高电压承载能力，特别适合用于各种类型的开关电源设计中。
- 电动机驱动：在电动机控制系统中，ZXMN6A25GTA 可作为高效的开关元件，提升电动机的效率和响应速度。
- 功率管理：在各种电子设备中，应用 ZXMN6A25GTA 可实现高效的功率管理与转换。
- LED 驱动：在LED照明解决方案中，该器件能够有效控制电流，确保LED的稳定和高亮度表现。
封装与安装
ZXMN6A25GTA 采用 SOT-223 封装，这是一个小型、低成本且易于表面贴装的封装形式，非常适合高密度电路设计。其结构设计也便于热量的分散，能够有效降低器件在高负载工作下的温度升高。
结论
ZXMN6A25GTA MOSFET 是一种高性能、灵活多用的场效应管，尤其适合高电压和中等电流应用。它的低导通电阻、高温适应性以及快速开关能力，使其在现代电子应用中极具竞争力。Diodes Incorporated 作为可靠的制造商，承诺为客户提供高质量的产品，因此 ZXMN6A25GTA 在行业中倍受青睐。这款 MOSFET 的卓越性能和可靠性，确保了在复杂电子环境中的稳定运行，成为设计工程师的理想选择。