DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI 产品概述

概述

DMN95H2D2HCTI是由DIODES (美台) 生产的一款高性能N通道MOSFET，专为高压和高电流应用而设计。它在950V漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id @ 25°C）下，具备出色的导电性能和高效能散热能力。其复杂的内部结构使其适用于各种电源管理、开关电源和电动机驱动等应用场景。

关键参数

• FET类型: 该器件采用N通道MOSFET技术，具有卓越的开关速度和低导通损耗。
• 漏源电压 (Vdss): 950V，这意味着可以在高电压环境中可靠工作，适合电源设备和工业应用。
• 连续漏极电流 (Id): 6A，这一电流参数保证了设备在高负载情况下的稳定性和效率。
• 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为2.2Ω @ 3A和10V的条件下，提供了良好的电流传导能力，减少了由于电流通过而产生的热量。
• 导通阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为5V @ 250µA，表明器件在较低的栅极电压下能够导通，有助于简化驱动电路设计。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为20.3nC @ 10V，表明该MOSFET具备较低的驱动功耗，适合高频开关应用。
• 栅极电压 (Vgs): 最大值为±30V，提供了一定的容忍度，降低了击穿风险。
• 输入电容 (Ciss): 在25V下，最大值为1487pF，意味着其在高频率应用中具有良好的响应能力。
• 最大功率耗散: 该器件的最大功耗为40W @ Tc，适合高功率电子应用并能够有效处理产生的热量。
• 工作温度范围: 该器件可在-55°C至150°C的环境中稳定工作，具备广泛的应用适应性。

封装与安装

DMN95H2D2HCTI采用TO-220-3全封装，隔离接片的设计用于通孔安装。该封装提供了良好的散热性能，适合需要高热耗散的应用场景。这种封装形式使得该器件可以更为方便地安装在电路板上，并确保了其可靠性。

应用场景

DMN95H2D2HCTI广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）: 可作为开关管使用，提供高效的电源转换。
• 直流-直流变换器（DC-DC Converter）: 用于电压转换和管理。
• 电动机驱动: 可用于控制和驱动电机，实现高效的运动控制。
• 电力电子设备: 在高功率和高电压环境下，提供可靠的切换功能。

总结

DMN95H2D2HCTI作为一款高电压、高电流的N通道MOSFET，凭借其优越的电气性能、宽广的温度适应范围和卓越的散热能力，成为现代电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在电源管理、工业自动化还是消费电子产品中，DMN95H2D2HCTI都能够提供理想的解决方案。它的高可靠性和出色的性能使之成为工程师们在设计高效和高可靠性电路时的重要选择。