晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧,10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | EMT6 |
EMD4T2R是一款高性能数字晶体管,设计为一个NPN和一个PNP的预偏置双极性晶体管。它在各类电子应用中提供优异的电流放大性能,适合用于信号放大、开关控制与逻辑电路设计。EMD4T2R的最大集电极电流(Ic)为100mA,具有集射极击穿电压(Vce最大值)达到50V的能力,确保其在多种电压和电流条件下的可靠性和稳定性。
EMD4T2R适用于各种电子应用,包括但不限于:
EMD4T2R凭借其卓越的电气性能,能够在多种应用场景下提供稳定、可靠的工作表现。其设计着重于降低功耗与提高转速,确保在高频操作条件下能稳定工作。此外,表面贴装封装的特性,让它在更为紧凑、复杂的电路设计中也能发挥作用。
作为ROHM(罗姆)公司生产的一款先进数字晶体管,EMD4T2R在功率、增益和频率等多方面展现出卓越的性能。这款产品凭借其多样的应用场景和优越的参数,成为设计师和工程师在电子元器件选择时的重要候选。无论是在消费电子、工业设备还是通信产品中,EMD4T2R都能够提供高效、可靠的解决方案,助力各种电子设备的创新发展。