EMD4T2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

EMD4T2R

商品编码: BM0058399309
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-563(SOT-666)
库存 :
6980(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.415
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.415
--
500+
¥0.277
--
4000+
¥0.241
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EMD4T2R参数

晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)47 千欧,10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)68 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装EMT6

EMD4T2R手册

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EMD4T2R概述

产品概述:EMD4T2R

1. 产品介绍

EMD4T2R是一款高性能数字晶体管,设计为一个NPN和一个PNP的预偏置双极性晶体管。它在各类电子应用中提供优异的电流放大性能,适合用于信号放大、开关控制与逻辑电路设计。EMD4T2R的最大集电极电流(Ic)为100mA,具有集射极击穿电压(Vce最大值)达到50V的能力,确保其在多种电压和电流条件下的可靠性和稳定性。

2. 关键参数

  • 晶体管类型:EMD4T2R包含一个NPN和一个PNP晶体管,预偏置特性使其在某些应用中能更快速地进入导通状态。
  • 电流 - 集电极(Ic):最大值为100mA,适合高电流需求的应用。
  • 电压 - 集射极击穿(Vce):最大值达到50V,能够承受较高的瞬时电压,提升电路的稳定性。
  • DC电流增益(hFE):在Ic为5mA,Vce为5V时,最小增益为68,表明该晶体管能在适度的条件下提供良好的放大能力。
  • 饱和压降:在不同的Ib和Ic条件下,最大饱和压降为300mV(500µA,10mA和250µA,5mA),这意味着在开关操作时能有效减少功率损耗。
  • 集电极截止电流:最大为500nA,电路的漏电流极低,有助于提高效率。
  • 频率 - 跃迁:高达250MHz,适用于高速开关及高频信号处理。
  • 功率:最大功率能力为150mW,适用于中等功率应用环境。
  • 安装类型:表面贴装型,使得安装更为便捷,适合现代PCB设计。
  • 封装:EMD4T2R采用SOT-563和SOT-666封装,这些小型化设计极大地节省了PCB空间,并适应高密度布局的需求。

3. 应用领域

EMD4T2R适用于各种电子应用,包括但不限于:

  • 开关电路:由于其快速响应时间和小饱和压降,EMD4T2R非常适合用于开关电路,如LED驱动、继电器驱动等。
  • 信号放大:在音频和射频放大器设计中,它能够有效地对微弱信号进行放大。
  • 逻辑电路:由于其高增益特性,适合用于数字逻辑电路当中,为数字信号提供良好的驱动能力。
  • 电源管理:可用于DC-DC转换器和开关电源设计,提升效率并降低能量损失。

4. 性能优势

EMD4T2R凭借其卓越的电气性能,能够在多种应用场景下提供稳定、可靠的工作表现。其设计着重于降低功耗与提高转速,确保在高频操作条件下能稳定工作。此外,表面贴装封装的特性,让它在更为紧凑、复杂的电路设计中也能发挥作用。

5. 结论

作为ROHM(罗姆)公司生产的一款先进数字晶体管,EMD4T2R在功率、增益和频率等多方面展现出卓越的性能。这款产品凭借其多样的应用场景和优越的参数,成为设计师和工程师在电子元器件选择时的重要候选。无论是在消费电子、工业设备还是通信产品中,EMD4T2R都能够提供高效、可靠的解决方案,助力各种电子设备的创新发展。