制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 二极管类型 | 标准 |
电流 - 平均整流 (Io) | 2A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-128 |
供应商器件封装 | PMDTM | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V | 反向恢复时间 (trr) | 25ns |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 870mV @ 2A | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 200V |
产品概述:RF201LAM2STR
制造商背景
RF201LAM2STR是由Rohm Semiconductor公司生产的一款高效能快恢复二极管。Rohm是全球知名的半导体制造商,致力于设计和制造高性能的电子元器件,广泛应用于各种电子设备中,包含消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。该公司以其卓越的产品质量和技术创新能力而著称,为全球客户提供可靠的解决方案。
产品特点
RF201LAM2STR采用SOD-128表面贴装封装,设计专注于满足现代电子应用对空间和性能的双重要求。其整流电流额定值为2A,能够高效处理高电流负载,适合用于多种电源和信号处理场合。产品显著特点包括其卓越的快速恢复能力,恢复时间小于500纳秒,极大地降低了反向恢复损耗,提高了整体电路效率。
电气参数
平均整流电流 (Io): RF201LAM2STR能够支持高达2A的整流电流,这使其非常适合用于电源供给和大功率应用中。
反向电压 (Vr): 该二极管的最大反向电压达200V,能够应对高电压环境,适用于多种工业和消费电子产品。
正向电压降 (Vf): 在2A的工作条件下,正向电压降为870mV,这一低电压降特性使其在功率转换时更为高效,减少了能量损耗。
反向泄漏电流: 在200V时,其反向泄漏电流仅为10µA,良好的反向特性确保了在高电压时的低能耗表现,使其在需要高耐压的应用中表现出色。
反向恢复时间 (trr): RF201LAM2STR的反向恢复时间为25纳秒,适合高速开关应用,尤其是在高频转换电源和逆变器中备受青睐。
工作环境
RF201LAM2STR适用的工作温度范围指示了其在极端环境下的可靠性。最大的结温可达150°C,意味着在高温条件下仍然能够稳定工作,适合用于高温的工业环境及密集的电气设备中。
应用场景
RF201LAM2STR的设计使其能够广泛应用于多种场景,包括但不限于:
开关电源: 在开关电源中扮演关键角色,支持高效的电源转换,并优化整体电源效率。
逆变器: 作为逆变器中的整流元件,高速反向恢复特性对于提高转换效率至关重要。
动力电子设备: 适用于电动机驱动、电池管理系统等需要高可靠性和效率的领域。
通信设备: 在需求快速响应和高稳定性的通信系统中应用,确保信号的稳定传输。
市场竞争力
随着全球对高效电源转换和可再生能源集成需求的增加,RF201LAM2STR凭借出色的电气性能和高可靠性,显示出了强大的市场竞争力。该产品能够有效应对高功率、高频率的应用需求,成为电子设计师和工程师青睐的选择。
总结
综上所述,RF201LAM2STR是一款兼具高效能和优异性能的快恢复二极管,适合应用于各种对速度和稳定性有高要求的电子设备中。凭借其杰出的电气参数、稳健的工作特性及广泛的应用可能性,该产品在市场中占据了重要的位置。对于追求高效率和高可靠性的电子应用,RF201LAM2STR无疑是一个理想的解决方案。