RSD050N10TL

RSD050N10TL 产品概述

概述

RSD050N10TL 是由著名半导体制造商 ROHM（罗姆）推出的一款高性能 N 通道功率 MOSFET。这款元器件采用表面贴装（SMD）技术，旨在满足现代电子产品对高效能、低功耗和小型化的需求。RSD050N10TL 具有很高的耐压能力（最大漏源电压 Vdss 高达 100V）和较大的连续漏极电流（Id 最大可达 5A），使其在广泛的应用场合中表现出色。

基本参数

• 封装类型: CPT3, 适合表面贴装，通过较小的封装实现高集成度。
• 导通电阻 (Rds On): 在 10V 和 5A 时，最大导通电阻仅为 190 毫欧（mΩ），这使得在实际工作中能够有效降低功耗。
• 驱动电压: RSD050N10TL 的栅极驱动电压从 4V 到 10V，提供了灵活的设计选项，适应不同的电路需求。
• 输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容为 530 pF。这一参数使得该 MOSFET 适合高频应用，并且能够保持良好的开关特性。
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下，栅极电荷最大值为 14 nC，适用于快速开关的场合。

关键性能

• Vgs (最大值): +/- 20V，允许与多种驱动电路兼容。
• 工作温度: 该 MOSFET 的工作温度可高达 150°C（TJ），适应了高温和严酷环境下的应用需求。
• 功率耗散: 在最大情况下，功率耗散能力为 15W（Tc），这一特点使其适合长时间运行的电力电子设备。

应用场景

RSD050N10TL 由于其优异的电气特性和工作参数，广泛应用于以下几个领域：

1. 开关电源: 在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为开关元件，减少功耗，提高转换效率。
2. 电机驱动: 适合用于伺服电机和无刷电机的驱动，能够承受较高电流，保证驱动系统的稳定性和可靠性。
3. 电池管理系统: 在电池充放电过程中，该 MOSFET 能够高效控制电流流向与切换，有效提高电池使用效率。
4. LED 驱动: 通过在 LED 驱动电路中应用 RSD050N10TL，能够实现高效、稳定的电流控制，延长 LED 的使用寿命。

结论

RSD050N10TL 是一款性能卓越的 N 通道功率 MOSFET，凭借其优化的导通电阻、高电压承受能力、低栅极电荷及高工作温度，使其成为各类电源管理方案及电机驱动应用的理想选择。ROHM 始终致力于提供高质量的电子元器件，RSD050N10TL 的推出无疑为设计工程师提供了更为灵活与高效的解决方案。