UMD4NTR
UMD4NTR参数
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧，10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW，120mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
UMD4NTR手册
UMD4NTR概述
UMD4NTR 产品概述
UMD4NTR 是一款高性能的预偏置双晶体管，集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，适用于各种数字和模拟电路应用。该产品由知名品牌 ROHM（罗姆）设计和制造，采用表面贴装型（SMD）封装，使其非常适合现代电子产品的小型化设计要求。
主要特性
晶体管类型：UMD4NTR 包含一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，这种双晶体管结构能够提供灵活的电路设计选项，允许在单一封装内实现复杂的开关和放大功能。其预偏置设计可简化电路配置，减少外围元件数量，提高系统集成度。
电流和电压：该器件的集电极电流（Ic）最大可达到 100mA，并具有最高 50V 的集射极击穿电压（Vce(max)）。这一特性使其能够在多种中等功率的应用场景中表现出色，尤其适用于需要较大电流和电压处理能力的数字电路。
增益和饱和压降：UMD4NTR 在不同的集电极电流（Ic）和基极电流（Ib）条件下，提供了最低 68 的直流电流增益 (hFE) @ 5mA，5V，这意味着即使在较低的驱动信号下，也能够实现较大的输出电流。同时，其在常见工作负载下的 Vce 饱和压降最大仅为 300mV，这样的低压降特性能够有效提高电路的效率，减少能量损耗。
截止电流：在关断状态下，UMD4NTR 的集电极截止电流最大值仅为 500nA，这一极低的漏电流特性确保了在静态或待机状态时的能效，有利于延长电池供电设备的使用寿命。
频率响应：该器件具有 250MHz 的跃迁频率，适合用于高速开关应用和 RF 电路，确保信号的稳定性和准确性，满足现代高频电路的需求。
封装与安装：UMD4NTR 采用小型 6-TSSOP、SC-88 和 SOT-363 封装，适合进行紧凑型的电路设计。表面贴装型的设计使得其在自动化生产中得到广泛应用，提升了生产效率和装配质量。
应用领域
UMD4NTR 的广泛应用涵盖了数字电路、开关电源、信号放大、音频放大以及射频通信等多个领域。它特别适用于：
- 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和家用电器等设备中的信号放大和控制电路。
- 工业 automatics：用于传感器接口、继电器驱动和电力管理模块，以实现高效可靠的信号处理。
- 通信设备：在无线和有线通信设备中，UMD4NTR 可被用作接收和放大信号的核心组件。
结论
总而言之，UMD4NTR 作为 ROHM 提供的一款高效、紧凑型的双晶体管，不仅具备优良的电气性能和高频特性，还适应了现代电子设备向小型化、低功耗的发展需求。它的广泛应用潜力和高效能，使其成为众多电子设计师和工程师的理想选择，确保在各类应用中都能发挥出色的性能。无论是在新产品开发，还是在现有系统优化中，UMD4NTR 都能成为可靠的电子元件选择。