2SCR553PT100 产品实物图片
2SCR553PT100 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SCR553PT100

商品编码: BM0058399222
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
MPT3(SOT-89)
包装 : 
编带
重量 : 
0.132g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 50V 2A NPN SOT-89-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.779
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.779
--
50+
¥0.389
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SCR553PT100参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)350mV @ 35mA,700mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)180 @ 50mA,2V
功率 - 最大值2W频率 - 跃迁360MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装MPT3

2SCR553PT100手册

empty-page
无数据

2SCR553PT100概述

产品概述:2SCR553PT100 NPN 三极管

一、产品简介

2SCR553PT100是一款高效能的NPN型晶体管,专为各种电子应用设计,在功率管理及信号放大领域表现出色。该器件的最大集电极电流(Ic)可达到2A,同时具有高达50V的集射极击穿电压(Vce),使其在多种电源电压条件下保持稳定工作。这款晶体管具备出色的电流增益特性,常见应用包括开关电源、信号调制、音频放大等场景。

二、基本参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):2A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
  • Vce饱和压降 (Vce(sat)):350 mV(针对Ic = 35 mA),700mV(针对Ic = 700 mA)
  • 集电极截止电流 (ICBO):1 µA(最大)
  • DC电流增益 (hFE):最小值为180(在Ic = 50 mA,Vce = 2V时测得)
  • 最大功率额定:2W
  • 频率 - 跃迁:360 MHz
  • 工作温度范围:可达150°C(结温TJ)
  • 封装类型:表面贴装型 (SMD)
  • 封装/外壳:TO-243AA (MPT3)

三、典型应用

2SCR553PT100广泛适用于各种电子电路及系统,以下是一些典型应用场景:

  1. 开关稳压电源:由于其高集电极电流处理能力,该晶体管可以承载较大的负载电流,常用于开关稳压电源中。在开关电源的反馈和调节环路中表现良好,能够保证电源的稳定性。

  2. 信号放大:凭借其高DC电流增益,此器件可以有效放大微弱的信号,因此在音频处理和射频信号处理应用中也具有重要价值。

  3. 驱动负载:能够有效驱动低功率电机、继电器及LED等负载,特别是在需要快速开关能力的场合,特别适合用于电子开关电路中。

  4. 电流传感器电路:在电流监测和控制电路中,此晶体管的低集电极截止电流特性,使其在高精度测量和控制中表现突出。

四、性能优势

  • 高功率处理能力:最大功率额定为2W,使其在高功率应用中表现出色。
  • 低饱和压降:350mV和700mV的饱和压降意味着可以在较小的功率损耗下维持较高的效率,适合用于低功耗设计。
  • 宽工作温度范围:可在高达150°C的工作环境中稳定运行,保证应用的可靠性。
  • 高增益:180的最低DC电流增益具备较强的信号放大能力,适合多种放大器设计。

五、结论

2SCR553PT100晶体管凭借其优异的性能和可靠性,成为广泛应用于现代电子设备中的重要组件。无论是功率管理、信号放大,还是负载驱动,这款NPN三极管都能以其卓越的技术参数,满足高要求的设计与使用需求。对于电路设计工程师而言,选择该元件无疑是确保电子产品性能的重要保证。