SCT2080KEC
SCT2080KEC参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 117 毫欧 @ 10A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 4.4mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 106nC @ 18V |
| Vgs（最大值） | +22V，-6V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2080pF @ 800V |
| 功率耗散（最大值） | 262W（Tc） | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
SCT2080KEC手册
SCT2080KEC概述
SCT2080KEC 产品概述
产品名称: SCT2080KEC
品牌: ROHM（罗姆）
类型: N 通道 SiCFET（碳化硅） MOSFET
封装: TO-247-3
一、产品特性
SCT2080KEC 是一款高性能的 N 通道场效应管，采用最先进的碳化硅技术，专为需要高效能和高可靠性的应用场景而设计。其最大漏源电压（Vdss）为1200V，连续漏极电流（Id）可达40A，成为电力电子设备、功率管理系统和高温应用领域的理想选择。
- 漏源电压（Vdss）: 1200V
- 连续漏极电流（Id）: 40A（在结温Tc下）
- 导通电阻（Rds On）: 当Id=10A，Vgs=18V时最大值为117毫欧。该特性使得该器件在高功率应用中提供了良好的导电性能，降低了功耗和热量产生。
二、性能参数
栅极驱动电压: SCT2080KEC允许最大栅极电压（Vgs）为+22V，最小为-6V，这为其提供了灵活的驱动选择。该器件在不同 Id 和 Vgs 下具有优良的栅极电荷特性（Qg），在 Vgs=18V 时，Q_g 的最大值为106 nC。这意味着在切换状态时，所需的栅极驱动电流相对较小，有助于提高系统效率。
输入电容: 在800V条件下，当Vds工作时，输入电容（Ciss）的最大值为2080pF，提供了较高的开关频率性能。这使得SCT2080KEC在高频和高电压应用中表现出色。
工作温度: SCT2080KEC的工作结温可达175°C，这意味着其在严苛环境条件下依然能够保持稳定的性能，适合在高温或高负荷条件下运行。
三、应用领域
基于其卓越的技术参数，SCT2080KEC广泛用于下列领域：
电力转换: 适合于DC-DC转换器、逆变器和电源管理系统等，此类应用可以利用其高漏源电压和低导通电阻特性来提高效率和降低热损耗。
工业驱动: KEC系列 FET 能够满足工业设备中对高电流和高电压的要求，如电机驱动、伺服控制等，能够在降低运行成本的同时提升动力系统的响应速度。
电动汽车与充电站: 随着电动汽车市场的快速发展，SCT2080KEC也成为电动车动力系统和充电基础设设备的重要组成部分。其高温工作特性和高功率处理能力非常适合于快速充电和高效能动力系统设计。
可再生能源: 在光伏逆变器及风能转换系统中，SCT2080KEC由于其高效的开关性能和可靠性，加速了可再生能源的应用实现。
四、产品总结
ROHM推出的 SCT2080KEC N 通道 SiCFET (碳化硅) MOSFET，凭借其卓越的技术参数和广泛的应用场景，已成为高功率电子设备中不可或缺的关键元件。其独特的高温性能、低导通电阻和高开关效率，使其在工业、车辆及再生能源领域的应用展现出广泛的市场潜力。选择 SCT2080KEC，您将获得先进的电力电子解决方案，助力未来的绿色科技。