RSE002N06TL
RSE002N06TL参数
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 不適用於新設計 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 250mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | EMT3 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 15pF @ 25V |
RSE002N06TL手册
RSE002N06TL概述
RSE002N06TL 是由 Rohm Semiconductor 制造的一款 N 通道 MOSFET，其具有出色的电气特性和应用灵活性，适用于多种电子电路设计。这款元器件特别适合于那些需要高效开关性能和低功耗的电气设备。接下来，我们将详细介绍其主要参数、应用场景及技术优势。
产品概述
基本参数
RSE002N06TL 芯片具备 250mA 的连续漏极电流能力，非常适合在小功率的应用中使用。其漏源电压 (Vdss) 达到 60V，这使得它在高压环境下也能稳定工作。此外，该 MOSFET 在 25°C 温度下的电阻（Rds(on)）为 2.4Ω（在 10V 的栅极驱动电压下），表明其具有良好的导电性能，从而能够减少功耗和热量生成。
封装与安装
RSE002N06TL 采用 SC-75/SOT-416 封装类型，便于表面贴装。其小巧的 EMT3 封装设计主要优点在于节省电路板空间，同时提供良好的散热特性，使其在高温工作条件下也能保持稳定。安装类型的灵活性使得它适应不同的电子设备设计。
工作温度与功率耗散
RSE002N06TL 在工作温度上限达到 150°C，这使其适用于高温环境，尤其在一些工业应用或汽车电子等领域。其功率耗散能力为 150mW（Ta），在正常操作条件下，这样的功耗和温升能确保器件的稳定性和可靠性。
关键特性
低导通电阻：其 2.4Ω（@ 250mA，10V）代表了该 MOSFET 在导通状态下的低电阻特性，这减少了能量损耗，并提高了电路的整体效率。
高Vgs阈值特性：Vgs(th) 最大值为 2.3V（@ 1mA），适合低电压逻辑控制，为直流和脉冲应用提供了出色的控制效能。
宽工作电压范围：Vgs 最大值 ±20V，能够在多种电压环境下保持稳定，意味着它能够适应多样化的应用要求。
小电容特性：不同 Vds 时的输入电容 Ciss 最大值为 15pF @ 25V，说明在高速开关时该器件可实现较小的信号干扰，从而增强开关特性。
应用场景
RSE002N06TL 的特性使其在多个应用领域得到了广泛应用，包括但不限于：
- 电池管理系统：由于其低功耗及高温特性，适用于移动设备、电动车辆的电池管理电路。
- 驱动电路：作为低功耗开关元件，可用于驱动小型电机、继电器等。
- 低功耗消费电子：在平板电脑、智能手机及其他便携式电子设备中，能够有效控制电源路径，延长电池使用时间。
- 传感器与控制设备：适用于诸如温度传感器、气体传感器等各种控制设备中，能够高效执行开关控制。
结论
RSE002N06TL 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，适用于需要稳定高效开关控制的小功率应用。凭借其卓越的电气参数和小型化封装，该器件在现代电子设计中扮演着越来越重要的角色。无论是在高温环境中的应用，还是在低功耗设备中的广泛需求，RSE002N06TL 均展现出其优异的性能，成为众多电子工程师的理想选择。