IMH3AT110 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IMH3AT110

商品编码: BM0058399151
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-457-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.455
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.455
--
200+
¥0.294
--
1500+
¥0.255
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

IMH3AT110参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值300mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-74,SOT-457供应商器件封装SMT6

IMH3AT110手册

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IMH3AT110概述

IMH3AT110 产品概述

1. 产品简介

IMH3AT110是一款来自日本著名电子元器件制造商ROHM(罗姆)推出的高性能数字晶体管,采用双NPN预偏压结构设计,属于表面贴装型(SMD)元器件,封装形式为SOT-457(又称为SMT6)。该产品具备强大的电流处理能力和良好的频率响应,广泛应用于各种数字电路及信号放大场景。

2. 主要规格参数

IMH3AT110的关键技术参数如下:

  • 晶体管类型:双NPN预偏压式,具有高增益和快速开关能力。
  • 最大集电极电流 (Ic):可承受高达100mA的电流,适合许多中等功率的应用。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V,保证在大多数工业应用中的安全性。
  • 基极电阻 (R1):4.7kΩ,有助于设置工作点与偏置电流的稳定性。
  • DC电流增益 (hFE):在1mA与5V时,hFE的最小值为100,展现出良好的信号放大能力。
  • Vce饱和压降:在250µA与5mA时的最大值为300mV,确保在开关状态下能保持较低的功耗。
  • 集电极截止电流(ICBO):最大值为500nA,低漏电流特性确保了高性能的电路设计。
  • 跃迁频率:达到250MHz的高频特性,适用于高频信号处理的应用场景。
  • 最大功率:可处理高达300mW的功率,适合多种用途,尤其是低功耗设备。

3. 封装与安装

IMH3AT110封装类型采用SOT-457,相比传统的DIP封装,其更小的尺寸便于高密度布线,适应现代电路板设计的需求。表面贴装型设计使得其在自动化生产中易于处理,适合于现代电子设备的批量生产。

4. 应用领域

IMH3AT110适用于多个行业与应用,以下是其主要应用领域:

  • 数字电路:由于IMH3AT110具备良好的增益和开关特性,适合用作逻辑电路中的开关元件。
  • 信号放大:广泛应用于音频放大器、无线通信及其他需要信号处理的场合。
  • 开关电源:由于其较高的承载电流和较低的功耗,可用于开关电源设计中。
  • 消费电子产品:包括电视机、音响及其它家用电器,IMH3AT110可用于开关控制和信号放大。
  • 汽车电子:在汽车中用作驱动、控制等多种电子系统中的关键组件。

5. 产品优势

  • 高性能:IMH3AT110在宽广的频率范围内保持较高的增益表现,特别适合于高速应用。
  • 低功耗:低饱和压降和高集电极截止电流特性使其在各种应用中均优化了功耗表现。
  • 空间效率:紧凑的表面贴装封装设计降低了整体电路板面积,适应现代小型化趋势。

6. 结语

总的来说,IMH3AT110作为一款高质量的双NPN数字晶体管,凭借其在电流处理、频率响应以及低功耗方面的优越性能,为电子设计师提供了强大的设计灵活性。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,IMH3AT110都能够满足各种严苛的应用需求,为用户提供可靠的解决方案。ROHM的耕耘与研发精神使得这款产品在竞争激烈的市场中脱颖而出,成为技术人员优选的一款多功能元件。