注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STP13NK60ZFP
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
3.55g
描述 :
场效应管(MOSFET) 35W 600V 13A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
5.15按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.15
--
10+
￥4.29
--
500+
￥3.91
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP13NK60ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 13A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 92nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2030pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP13NK60ZFP手册
STP13NK60ZFP概述
STP13NK60ZFP 产品概述
概述
STP13NK60ZFP 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。该产品设计用于高压、高效能的电力转换应用，兼具高电流承载能力和较低的导通电阻，适合用于工业控制、开关电源、逆变器以及其他高功率电子设备。STP13NK60ZFP 具有的高漏源电压 (Vdss) 可达 600V，能够满足严苛应用环境中的需求。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 600V
- 连续漏极电流 (Id): 13A @ 25°C (Tc)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 100µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 550mΩ @ 4.5A, 10V
- 最大功率耗散: 35W @ 25°C (Tc)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C (TJ)
- 封装类型: TO-220-3 整包
- 栅极电荷 (Qg): 92nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 2030pF @ 25V
特点与优势
- 高电压承受能力: 该 MOSFET 的漏源电压为 600V，能够适应各类高电压应用，确保在高压环境下可靠工作。
- 低导通电阻: 550mΩ 的低导通电阻使得 STP13NK60ZFP 能够在较大的电流 (~13A) 下保持较低的功耗和发热，有助于提高系统的整体效率。
- 高功率散热能力: 最大功率耗散达到 35W，使得其在高功率应用中的可靠性和性能得到保障。
- 宽工作温度范围: 适应 -55°C 至 150°C 的温度范围，能够在严苛的工业及汽车环境中稳定工作。
- 符合 ROHS 标准: 该器件符合 RoHS 规范，无铅设计，符合环保要求，适合现代电子产品的应用。
应用场景
STP13NK60ZFP 广泛应用于各类高压电源管理和控制系统，包括：
- 开关电源（SMPS）
- 逆变器
- 直流-直流变换器
- 照明控制系统
- 电机驱动器
- 储能系统
- 感应加热设备
设计注意事项
在电路设计中使用 STP13NK60ZFP 时，设计师需注意以下事项：
- 确保栅源电压的稳定供给，以达到必要的导通条件，同时避免 Vgs 超出最大限值（±30V）。
- 在设计散热方案时，为确保在高负载条件下的热管理，应考虑适当的散热器和冷却措施。
- 留意最大功率耗散值，以防在高负荷工作期间超出限制而导致器件损坏。
结论
STP13NK60ZFP 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，具有高电压承受能力、低导通电阻以及强大的功率散热能力，适合于多种工业及消费类应用。在现代电力电子设备的设计中，这款器件为提高系统效率、降低能耗提供了理想的解决方案。其可靠性和稳定性使它成为高要求应用场合的优选器件。