漏源电压(Vdss) | 600V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 7A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 3.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 45W | 类型 | N沟道 |
SVF7N60F 是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其具备600V漏源电压和7A的连续漏极电流,专为高压和高效率的电源管理应用而设计。该产品由士兰微(Silan)制造,采用TO-220F塑封封装,具有优良的散热性能和稳定性,广泛应用于开关电源、逆变器、驱动电路等领域。
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 7A(25°C时)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250uA
漏源导通电阻(Rds(on)): 1.2Ω @ 3.5A, 10V
最大功率耗散(Pd): 45W(Ta=25°C)
封装类型: TO-220F
SVF7N60F广泛应用于以下领域:
开关电源(SMPS): 在开关电源中,SVF7N60F可用于电源控制部分,保证能量高效传输和转换。
逆变器: 作为逆变器电路的主要开关元件,实现直流到交流的高效转化,适用于太阳能和风能发电系统。
电动机驱动: 在电动机驱动中,SVF7N60F可以有效控制电动机的启停和调速,提供稳定的功率输出。
氙气灯控制: 使用于车辆氙气灯的点火和功率控制。
SVF7N60F作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其600V的高耐压、7A的高电流及低导通电阻等优势,在多种高压电源和驱动应用中展现出优异的性能和可靠性。无论是在工业自动化、可再生能源还是其他电子设备中,SVF7N60F都将是您理想的选择,以实现高效、稳定的电源管理和控制。