SVF7N60F 产品实物图片
SVF7N60F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SVF7N60F

商品编码: BM0058399067
品牌 : 
SILAN(士兰微)
封装 : 
TO-220F 塑封
包装 : 
管装
重量 : 
3g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 45W 600V 7A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.54
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.54
--
10+
¥1.18
--
500+
¥1.07
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述

SVF7N60F参数

漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻1.2Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W类型N沟道

SVF7N60F手册

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SVF7N60F概述

SVF7N60F 产品概述

一、产品简介

SVF7N60F 是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其具备600V漏源电压和7A的连续漏极电流,专为高压和高效率的电源管理应用而设计。该产品由士兰微(Silan)制造,采用TO-220F塑封封装,具有优良的散热性能和稳定性,广泛应用于开关电源、逆变器、驱动电路等领域。

二、主要技术参数

  1. 漏源电压(Vdss): 600V

    • 该器件能够承受高达600V的漏源电压,使其适合于高压电源应用。
  2. 连续漏极电流(Id): 7A(25°C时)

    • SVF7N60F能够在25°C的环境温度下持续工作在7A的漏极电流,对于需要高电流处理中较强的电流驱动能力。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250uA

    • 此MOSFET的栅源极阈值电压相对适中,可实现高效的栅极驱动,从而降低功耗。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 1.2Ω @ 3.5A, 10V

    • 低导通电阻保证了在额定电流下的高效率和低热量产生,适合需要频繁开关的操作环境。
  5. 最大功率耗散(Pd): 45W(Ta=25°C)

    • 器件的最大功率耗散能力为45W,使其在高功率应用下能够有效运行,并防止过热。
  6. 封装类型: TO-220F

    • TO-220F封装是专为需要散热的应用设计的,便于在电路板上布置和散热管理。

三、应用场景

SVF7N60F广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS): 在开关电源中,SVF7N60F可用于电源控制部分,保证能量高效传输和转换。

  • 逆变器: 作为逆变器电路的主要开关元件,实现直流到交流的高效转化,适用于太阳能和风能发电系统。

  • 电动机驱动: 在电动机驱动中,SVF7N60F可以有效控制电动机的启停和调速,提供稳定的功率输出。

  • 氙气灯控制: 使用于车辆氙气灯的点火和功率控制。

四、产品优势

  • 高压高流设计: 600V的漏源电压和7A的漏极电流,使其能够满足多种高压应用的需求。
  • 低导通电阻: 通过优良的Rds(on)性能,明显减少开关损耗,提升系统效率。
  • 优异的散热性: TO-220F封装设计有效提升散热能力,确保在高功率输出时仍能保持稳定性。
  • 可靠的经济性: 相较于同类产品,SVF7N60F在保持高性能的同时,具备较好的性价比,适合大规模应用。

结论

SVF7N60F作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其600V的高耐压、7A的高电流及低导通电阻等优势,在多种高压电源和驱动应用中展现出优异的性能和可靠性。无论是在工业自动化、可再生能源还是其他电子设备中,SVF7N60F都将是您理想的选择,以实现高效、稳定的电源管理和控制。