BM60014FV-CE2
BM60014FV-CE2参数
| 技术 | 磁耦合 | 通道数 | 1 |
| 电压 - 隔离 | 2500Vrms | 共模瞬变抗扰度（最小值） | 100kV/µs |
| 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） | 120ns，120ns | 上升/下降时间（典型值） | 50ns，50ns |
| 电流 - 输出高、低 | 3A，3A | 电流 - 峰值输出 | 5A |
| 电压 - 输出供电 | 10V ~ 24V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 20-SSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 20-SSOP-BW | 认证机构 | UR |
BM60014FV-CE2手册
BM60014FV-CE2概述
BM60014FV-CE2 产品概述
一、概述
BM60014FV-CE2 是由 ROHM（罗姆）公司推出的一款高性能场效应管（MOSFET），其设计旨在满足各种工业和消费电子应用中的高电流和电压隔离需求。该器件采用表面贴装型的封装形式（20-SSOP-BW），在节省空间的同时提供卓越的电气性能。BM60014FV-CE2 的独特设计使其适用于高频、高效率的电源转换和信号隔离等领域。
二、基本参数
BM60014FV-CE2 具有单通道磁耦合的特性，其电压隔离能力高达 2500Vrms，确保了在高压环境中使用的安全性。该器件的共模瞬变抗扰度（最小值）达到 100kV/µs，能够有效抑制外部干扰对信号的影响。
在传播延迟方面，BM60014FV-CE2 的 tpLH 和 tpHL 最大值均为 120ns，使其适合高频信号传输。器件的上升时间和下降时间典型值为 50ns，进一步提升了其在快速开关应用中的响应能力。
BM60014FV-CE2 的输出电流能力也相当出色，能够支持高达 3A 的持续输出电流，并具有 5A 的峰值输出电流，满足不同负载的需求。输出电压范围为 10V 至 24V，使得该芯片在多个电源方案中均可灵活应用。
三、工作温度与可靠性
BM60014FV-CE2 设计为适应广泛的工作温度范围，能够在 -40°C 至 125°C 的条件下正常工作，这使得其适合于各种环境，包括极端温度下的工业应用。此外，该器件经过严格测试，符合 UR 认证标准，彰显其高可靠性和稳定性。
四、应用领域
BM60014FV-CE2 被广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理：适用于开关电源（SMPS）和其他电源转换应用，以实现高效的电源传输和信号隔离。
- 工业自动化：在工业控制系统中，BM60014FV-CE2 可用于信号传输和控制逻辑，提高整体系统的抗干扰能力。
- 消费电子：广泛应用于智能家电、音响设备等产品中，以保证安全稳定的电源供应和信号传递。
- 汽车电子：在汽车电子系统中，BM60014FV-CE2 提供高的隔离和抗干扰能力，是驱动和控制电路的理想选择。
五、总结
BM60014FV-CE2 是一款高性能的场效应管，具备出色的电气特性、耐用性和多功能性，能够满足各种应用场景的需求。其高电流承载能力、宽广的工作温度范围以及优良的抗干扰特性，使其成为设计师在开发高效、安全电路时的理想选择。无论是工业系统还是消费电子，BM60014FV-CE2 都提供了可靠的解决方案，帮助工程师在不断发展的科技行业中迎接挑战。