精度 | ±5% | 稳压值(典型值) | 3.9V |
反向漏电流 | 3uA @ 1V | 最大功率 | 500mW |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3µA @ 1V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 200°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 供应商器件封装 | LLDS;MiniMelf |
BZV55-C3V9,115 是由 Nexperia(安世)公司生产的一款高性能稳压二极管,专为稳定电压及保护电路而设计。该器件在众多电子应用中发挥着关键作用,提供了高达 3.9V 的稳压输出,适合用于电源管理、信号整形及过压保护等场合。
BZV55-C3V9,115 二极管广泛应用于:
BZV55-C3V9,115 的主要电气特性使其成为设计工程师强调的重要选择。该二极管的反向漏电流低,仅为 3 µA,这对于保持高效率和低功耗设计至关重要。同时,其在不同反向电压 (Vr) 时的反向泄漏电流表现良好,提升了器件在实际应用中的稳定性。
此外,当电流为 10 mA 时,其正向电压为 900 mV,这种特性使其适合用于大功率电源和驱动电路,为电子设备提供可靠的能量支持。
该产品采用表面贴装型 (SMD) 封装,支持 DO-213AC、MINI-MELF 和 SOD-80 封装规格。其小巧的外形设计便于在紧凑的电路板设计中使用。同时,SMD 封装可以有效提升生产效率,方便自动化贴片作业。
BZV55-C3V9,115 的工作温度范围广,从 -65°C 到 200°C,确保了其在各种环境条件下的可靠性能。无论是在低温还是高温下,此二极管均能保持良好的工作特性,适合在航天、汽车电气及工业控制等高要求领域中使用。
通过其优越的性能参数和广泛的应用范围,BZV55-C3V9,115 稳压二极管完美结合了 Nexperia 公司的高品质设计与严格的制造工艺。对于需要高精度电压控制、低漏电流和高环境适应性的电子应用来说,BZV55-C3V9,115 是一个理想的选择。在快速发展的电子市场中,其出色的可靠性和功能将助力各类电子设备的稳定运行。
在选择电压稳压二极管时,BZV55-C3V9,115 凭借其独特的设计与高性能参数,成为了工程师们关注的重要产品之一。无论是对新产品开发的要求,还是对于现有产品的优化提升,该器件都能为其提供强有力的保障。