安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 120A |
栅极电荷 | 414nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,80A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 2.1mJ(开),1.5mJ(关) |
测试条件 | 400V,80A,10 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 469W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 84ns/280ns | 反向恢复时间 (trr) | 85ns |
STGWT80H65DFB 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其额定电压可达650V,最大集电极电流为120A,适用于各种高功率开关应用。该器件采用通孔安装方式,封装形式为TO-3P,常用于电力电子领域,如电动机驱动、电源转换以及可再生能源系统等。由于其优越的性能和可靠性,STGWT80H65DFB 已成为工业及消费电子设备中常用的基本元件之一。
电气特性:
动态特性:
环境与可靠性:
STGWT80H65DFB IGBT的设计使其非常适合以下应用场景:
总之,STGWT80H65DFB是一款功能强大的IGBT,凭借其高电流、高电压和良好的开关特性,为各种高功率应用提供了理想的解决方案。结合意法半导体的先进制造工艺与高可靠性的设计,该产品在多个领域均表现出色,成为工程师们在电力电子设计中的首选元件之一。它的性能和多功能性使其在快速增长的电力电子市场中具有广阔的应用前景。