STGWT80H65DFB 产品实物图片
STGWT80H65DFB 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STGWT80H65DFB

商品编码: BM0058399021
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-3P
包装 : 
管装
重量 : 
5.19g
描述 : 
IGBT-沟槽型场截止-650V-120A-469W-通孔-TO-3P
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
18.17
按整 :
管(1管有300个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥18.17
--
10+
¥15.66
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGWT80H65DFB参数

安装类型通孔电流 - 集电极 (Ic)(最大值)120A
栅极电荷414nC输入类型标准
IGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值)650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,80A电流 - 集电极脉冲 (Icm)240A
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)开关能量2.1mJ(开),1.5mJ(关)
测试条件400V,80A,10 欧姆,15V功率 - 最大值469W
25°C 时 Td(开/关)值84ns/280ns反向恢复时间 (trr)85ns

STGWT80H65DFB手册

STGWT80H65DFB概述

STGWT80H65DFB 产品概述

产品简介

STGWT80H65DFB 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其额定电压可达650V,最大集电极电流为120A,适用于各种高功率开关应用。该器件采用通孔安装方式,封装形式为TO-3P,常用于电力电子领域,如电动机驱动、电源转换以及可再生能源系统等。由于其优越的性能和可靠性,STGWT80H65DFB 已成为工业及消费电子设备中常用的基本元件之一。

主要参数

  1. 电气特性:

    • 集电极电流(Ic)最大值: 120A,适合大电流应用。
    • 集电极脉冲电流(Icm): 可达240A,适应瞬态条件下的电流需求。
    • 集射极击穿电压(Vces)最大值: 650V,使其适合中高压应用。
    • Vce(on)最大值: 在15V的栅极驱动和80A的工作条件下,Vce(on)为2V,显示出良好的导通特性。
  2. 动态特性:

    • 栅极电荷(Qg): 414nC,反映出栅极驱动要求。
    • 开关能量: 关断时能耗为1.5mJ,导通时为2.1mJ,显示了较为优秀的开关特性。
    • 开关延迟时间(Td): 以25°C环境温度下,开启与关断延迟分别为84ns与280ns,适合高频率开关应用。
    • 反向恢复时间(trr): 85ns,适合高效升降压应用。
  3. 环境与可靠性:

    • 工作温度范围: 器件可以在-55°C至175°C的环境下可靠工作,适合高温应用。
    • 功率损耗最大值: 469W,表明其在高功率下的热管理能力。

应用领域

STGWT80H65DFB IGBT的设计使其非常适合以下应用场景:

  • 电动机驱动: 该IGBT能够驱动大功率电动机,广泛用于工业自动化及电动汽车市场。
  • 开关电源: 适合于各种开关电源拓扑结构,提高能效,减少能量损失。
  • 风能与太阳能逆变器: 可在再生能源设备中稳定工作,提高能量转换效率。
  • 家用电器: 如变频器、无刷直流电机驱动等应用中,广泛使用以提高控制精度与能效。
  • 焊接设备: 由于其高电流承受能力与快速开关特性,适合于电弧焊接及激光焊接等领域。

结论

总之,STGWT80H65DFB是一款功能强大的IGBT,凭借其高电流、高电压和良好的开关特性,为各种高功率应用提供了理想的解决方案。结合意法半导体的先进制造工艺与高可靠性的设计,该产品在多个领域均表现出色,成为工程师们在电力电子设计中的首选元件之一。它的性能和多功能性使其在快速增长的电力电子市场中具有广阔的应用前景。